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ハイエンドウェーハレベル パッケージボンダ TFC-6600-TFC-6600
ハイエンドウェーハレベル パッケージボンダ TFC-6600-芝浦メカトロニクス株式会社

ハイエンドウェーハレベル パッケージボンダ TFC-6600
芝浦メカトロニクス株式会社

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この製品について

■次世代・先端半導体に対応したグローバルニッチトップ製品の開発を推進

半導体デバイスの微細化が進んでおり、これに対応した装置の開発を進めています。また、性能向上と経済性を両立させ、地球環境に配慮した商品を提供するための新技術の開発に取り組んでいます。前工程から後工程まで、特徴ある装置でお客様のご要望に幅広くお応えしています。

■UltraHighDensityFanOut-WaferLevelPackage (UHDFO-WLP) プロセス対応

UHDFO-WLPプロセスに適合した高精度/高生産性ボンダです。スマートフォン、PCなどに用いられるアプリケーションプロセッサには高密度な配線ピッチが求められています。このため、従来のFO-WLPよりもさらに高精度な実装の必要性が高まっています。 また、2.XDパッケージでは、チップ間の接続にSi-Interposerを用いる方法に加え、ブリッジ接続の登場により、高精度なFaceUp実装の需要が高まっています。当社は、UHDFO-WLP分野において10年以上の販売、生産実績があり、大手IDM、Foundry、OSATへ多数の導入実績による高い技術力と豊富な経験を有しております。TFC-6600では、高品質なWLPの生産を「高精度FaceUp実装」、「高生産性」で実現します。 特長

■高精度Face Up実装

FaceUp精度±2μmを実現します。

■高生産性

ダブルヘッド構成により、高精度かつ高い生産性を実現します。2台のボンダが1基のFOUPユニットを共有する連結構成も可能です。お客様の生産効率の最大化に貢献します。

■2.XD製品に適合/薄チップにも対応

ブリッジなどの薄チップには当社独自の突上技術でピックアップ時のダメージを最小限化します。

■ICチップピックアップ技術

メモリーチップなどではチップの薄化が進み、ウェーハからチップをピックアップする際、チップにダメージを与えてしまうことがあります。これにより不良率の増加や生産性低下を引き起こすことになります。当社のチップボンダは、独自に開発した薄チップに適したチップピックアップ方式により、薄いチップでもチップへのダメージを軽減させることができます。

  • シリーズ

    ハイエンドウェーハレベル パッケージボンダ TFC-6600

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ハイエンドウェーハレベル パッケージボンダ TFC-6600 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 主な用途 精度 Dry UPH チップサイズ 基板サイズ
ハイエンドウェーハレベル パッケージボンダ TFC-6600-品番-TFC-6600

TFC-6600

要見積もり

UHD FO-WLP製品

Face Down & Face Up ±2μm (3σ) *Local認識/R.T条件

5,000以上

Max.□40mm

φ200 / 300mmウェーハ Max.330×320mm基板

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半導体製造装置をフィルターから探すことができます

ウェハーサイズ mm

0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350

チップサイズ mm

0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35

基板サイズ mm

0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500

処理能力 秒/chip

0 - 1 1 - 2 2 - 31

ボンディング精度 μm

0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21

電源電圧 V

90 - 120 120 - 220 220 - 260

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この商品の取り扱い会社情報

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会社概要

芝浦メカトロニクス株式会社は、神奈川県横浜市に本社を置く、半導体、フラットパネルディスプレイ、電子部品などの用途を対象にした、製造装置の開発・製造及びサービスを行っている会社です。

前工程から後工程まで...

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  • 本社所在地: 神奈川県
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