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プラズマCVD実験装置 PCVD-R100-PCVD-R100
プラズマCVD実験装置 PCVD-R100-アリオス株式会社

プラズマCVD実験装置 PCVD-R100
アリオス株式会社

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この製品について

■概要

CVDとは、Chemical Vapor Deposition (化学蒸着装置) の略称で、ガスで原料を供給し、これをプラズマや熱などで分解し、その成分で成膜することを指します。 様々な方式がありますが、よく使われているのは熱あるいはプラズマを使う方法です。プラズマ生成にも周波数の違いによって各種あります。 アリオスでは各種プラズマCVD装置を設計、製造しております。詳細はマイクロ波 (2.45GHz) vsRF (13.56MHz) をご参照下さい。 本装置は実験用MO原料対応プラズマCVD装置で、RFプラズマ源、基板加熱機構、ガス供給系、ロードロック室などを搭載しており、各種原料ガスをプラズマ処理し基板上に薄膜を成膜可能です。

■特徴

・アリオスの高真空技術を駆使しており、クリーンな真空での成膜実験が可能です。 ・コンパクトチャンバー+シンプルな構成により、容易にメンテナンスが可能です。 ・基板加熱機構は耐熱、耐ガス特性に優れた材料により、長時間安定な加熱が可能です。 ・基板導入はロードロック機構により大気開放することなく極めて簡単に、かつ短時間に行えます。

■オプション

・MO ガス供給系 ・平行平板電極+シャワーヘッド

  • シリーズ

    プラズマCVD実験装置 PCVD-R100

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プラズマCVD実験装置 PCVD-R100 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) プラズマ源 反応室 ロードロック室 基板サイズ 基板加熱機構 真空排気系 ガス供給系 本体架台 用力
プラズマCVD実験装置 PCVD-R100-品番-PCVD-R100

PCVD-R100

要見積もり

RF : 0~500W 可変+自動マッチングBOX (誘導結合もしくは容量結合)
反応管 : φ40×36 石英管

SUS 304製

SUS 304製
ハッチポート+Oリング式トランスファーロッド

~φ100

最高加熱温度 : 900℃
基板位置 : 上下可変
電源 : DC電源+温度調節器

ロードロック室 : TMP+RP
反応室 : RP+トラップ

MFC+バルブ類

キャスター、アジャスター付き

三相 AC200V 60A
単相 AC100V 10A
冷却水 1 L⁄min

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この商品の取り扱い会社情報

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会社概要

アリオス株式会社は、1972年に創業したプラズマ・真空装置製造メーカーです。 長年のプラズマ発生技術、イオン、電子利用技術開発で培ったノウハウもをとに、成膜装置、ラングミュアプローブ、ダイヤモンドCVD合成装置などの真...

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  • 本社所在地: 東京都
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