プラズマCVD実験装置 PCVD-R100
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この製品について

■概要CVDとは、Chemical Vapor Deposition (化学蒸着装置) の略称で、ガスで原料を供給し、これをプラズマや熱などで分解し、その成分で成膜することを指します。 様々な方式がありますが、よく使われているのは熱あるいはプラズマを使う方法です。プラズマ生成にも周波数の違いによって各種あります。 アリオスでは各種プラズマCVD装置を設計、製造しております。詳細はマイクロ波 (2.45GHz) vsRF (13.56MHz) をご参照下さい。

本装置は実験用MO原料対応プラズマCVD装置で、RFプラズマ源、基板加熱機構、ガス供給系、ロードロック室などを搭載しており、各種原料ガスをプラズマ処理し基板上に薄膜を成膜可能です。

■特徴・アリオスの高真空技術を駆使しており、クリーンな真空での成膜実験が可能です。
・コンパクトチャンバー＋シンプルな構成により、容易にメンテナンスが可能です。
・基板加熱機構は耐熱、耐ガス特性に優れた材料により、長時間安定な加熱が可能です。
・基板導入はロードロック機構により大気開放することなく極めて簡単に、かつ短時間に行えます。

■オプション・MO ガス供給系
・平行平板電極＋シャワーヘッド

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
プラズマCVD実験装置 PCVD-R100

取扱企業
アリオス株式会社

カテゴリ

加工・工作機器

プラズマCVD装置

加工・工作機器

成膜装置

半導体製造

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プラズマCVD実験装置 PCVD-R100 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	プラズマ源	反応室	ロードロック室	基板サイズ	基板加熱機構	真空排気系	ガス供給系	本体架台	用力
	PCVD-R100	要見積もり	RF ： 0~500W 可変＋自動マッチングBOX (誘導結合もしくは容量結合) 反応管： φ40×36 石英管	SUS 304製	SUS 304製ハッチポート＋Oリング式トランスファーロッド	~φ100	最高加熱温度： 900℃ 基板位置：上下可変電源： DC電源＋温度調節器	ロードロック室： TMP＋RP 反応室： RP＋トラップ	MFC＋バルブ類	キャスター、アジャスター付き	三相 AC200V 60A 単相 AC100V 10A 冷却水 1 L⁄min