半導体製造装置 小規模生産・開発用常圧CVD (APCVD) 装置 (D501)
株式会社渡辺商行
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返答率
100.0%
平均返答時間
60.5時間
この製品について
■基本情報
大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド (ガスノズル) 下を往復させ成膜を行います。常圧CVD (APCVD) の特色はそのまま、手軽に成膜が可能です。■特徴
・異形状・サイズ基板の同時処理 ・高い成膜速度 ・シンプルメンテナンス ・省フットプリント ・低CoO (低ランニングコスト)■ガス種
・SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) ・TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2) (オプション) ・SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2) (オプション)■用途
・層間絶縁膜 (NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜 (NSG) ・パッシベーション膜 (保護膜・絶縁膜) (NSG) ・太陽電池 (セル) 向け固相拡散用ソース膜 (BSG,PSG) /キャップ膜 (NSG)■納入実績
・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー ・大学/研究機関-
シリーズ
半導体製造装置 小規模生産・開発用常圧CVD (APCVD) 装置 (D501)
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取扱企業
株式会社渡辺商行
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半導体製造装置 小規模生産・開発用常圧CVD (APCVD) 装置 (D501) 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 装置サイズ (mm) | 成膜温度 |
|---|---|---|---|---|
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D501 |
要見積もり | 1,200 (W) x 2,480 (D) x 1,940 (H) | 350~430℃ (SiH4/O3系 150~300℃) |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
