半導体製造装置小規模生産・開発用常圧CVD (APCVD) 装置 (D501) -D501

半導体製造装置小規模生産・開発用常圧CVD (APCVD) 装置 (D501)
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この製品について

試作・開発・小ロット生産向け NSG (SiO2) /BSG/PSG/BPSG膜成膜用 バッチ式 (複数枚同時処理) APCVD装置

D501は、少量生産/テストや不定形基板へのシリコン酸化膜 (SiO2膜) の成膜を目的とした、バッチ式 (複数枚同時処理) の常圧CVD装置 (APCVD装置) です。

■基本情報大型トレーに複数枚ウェハをマニュアル装填し、トレーがディスパージョンヘッド (ガスノズル) 下を往復させ成膜を行います。常圧CVD (APCVD) の特色はそのまま、手軽に成膜が可能です。

■特徴・異形状・サイズ基板の同時処理
・高い成膜速度
・シンプルメンテナンス
・省フットプリント
・低CoO (低ランニングコスト) 

■ガス種・SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) 
・TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2) (オプション) 
・SiH4/O3系 (SiH4/PH3/B2H6/O3/O2/N2) (オプション) 

■用途・層間絶縁膜 (NSG/PSG/BPSG) 
・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜 (NSG) 
・パッシベーション膜 (保護膜・絶縁膜) (NSG) 
・太陽電池 (セル) 向け固相拡散用ソース膜 (BSG,PSG) /キャップ膜 (NSG) 

■納入実績・国内外半導体デバイス/オプトデバイスメーカー
・大学/研究機関