半導体製造装置 高性能枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (A200V)
株式会社渡辺商行
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返答率
100.0%
平均返答時間
60.5時間
この製品について
■基本情報
密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性 (低負荷かつ長周期) を向上させています。コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。■特徴
・絶縁膜・拡散/インプラマスクの成膜に最適 ・枚葉式Face-down成膜による低パーティクル成膜 ・密閉式チャンバーによる高い安全性と成膜安定性 ・ウェハ反り矯正機能 (特許取得済) によるSiCウェハ対応 ・低負荷・長周期メンテナンス ・コンパクト筐体とミラータイプとの隣接設置による省スペース対応 ・低CoO (低ランニングコスト)■用途
・パワー半導体用層間絶縁膜 (NSG/PSG/BPSG) ・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜 (NSG) ・パッシベーション膜 (保護膜・絶縁膜) (NSG) ・光導波路 (NSG/BPSG)■納入実績
・国内外半導体デバイスメーカー ・大学/研究機関・研究所-
シリーズ
半導体製造装置 高性能枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (A200V)
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取扱企業
株式会社渡辺商行
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半導体製造装置 高性能枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (A200V) 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 装置サイズ (mm) | ガス種 | 成膜温度 |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
A200V |
要見積もり | 890 (W) x 2,300 (D) x 2,250 (H) |
・SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) ・TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2) (オプション) |
350~450℃ |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
