半導体製造装置高性能枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (A200V) -A200V

半導体製造装置高性能枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (A200V)
株式会社渡辺商行

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この製品について

少量・多品種向け NSG (SiO2) /PSG/BPSG膜成膜用 枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (8インチSiCウェハ対応) 

A200Vは、層間絶縁膜・パッシベーション膜 (保護膜) ・犠牲膜等のシリコン酸化膜 (SiO2膜) の成膜を目的とした枚葉式常圧CVD装置 (APCVD装置) です。

■基本情報密閉式チャンバー内で、ウェハを成膜面を下に向け裏面を吸着した状態で加熱させ、プロセスガスを下部より吹き上げながら成膜するFace-down成膜方式の採用により、低パーティクルで安全かつ高品質な成膜を実現しました。特許取得済のウェハ反り矯正機能により、SiCウェハの様な反りの大きなウェハでも確実に吸着でき、優れた膜厚均一性を得ることが可能です。ウェハ周辺の副反応生成物の付着を低減させた構成にすることで、メンテナンス性 (低負荷かつ長周期) を向上させています。コンパクトな筐体サイズで、隣接設置も可能なので、フットプリントを最小化することができます。

■特徴・絶縁膜・拡散/インプラマスクの成膜に最適
・枚葉式Face-down成膜による低パーティクル成膜
・密閉式チャンバーによる高い安全性と成膜安定性
・ウェハ反り矯正機能 (特許取得済) によるSiCウェハ対応
・低負荷・長周期メンテナンス
・コンパクト筐体とミラータイプとの隣接設置による省スペース対応
・低CoO (低ランニングコスト) 

■用途・パワー半導体用層間絶縁膜 (NSG/PSG/BPSG) 
・拡散/インプラ用ハードマスク, 犠牲膜 (NSG) 
・パッシベーション膜 (保護膜・絶縁膜) (NSG) 
・光導波路 (NSG/BPSG) 

■納入実績・国内外半導体デバイスメーカー
・大学/研究機関・研究所

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
半導体製造装置高性能枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (A200V)

取扱企業
株式会社渡辺商行

カテゴリ

半導体製造

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半導体製造装置高性能枚葉式常圧CVD (APCVD) 装置 (A200V) 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	装置サイズ (mm)	ガス種	成膜温度
	A200V	要見積もり	890 (W) x 2,300 (D) x 2,250 (H)	・SiH4/O2系 (SiH4/PH3/B2H6/O2/N2) ・TEOS/O3系 (TEOS/TMOP/TEB/O3/O2/N2) (オプション)	350~450℃