C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce
ヤマハロボティクスホールディングス株式会社
この製品について
■概要
・Chip to WaferのThermal Compression Bonding (TCB) 工法対応パッケージボンダ ・Face down工法対応 (Face up工法はオプション) ・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF) 、C2、C4、FO-WLP工法等に対応可能■特長
・独自のNVS[Non Vibration System]技術により、高精度なボンディングを実現 ・FFG[Force Free Gantry]により、350Nまでの高荷重に対応 ・高速パルスヒータによる短時間加熱、冷却により、高スループットを実現 ・プロセスモニタリング、管理機能の搭載により、安定した品質とプロセスポータビリテイを実現 ・各種突き上げ方式に対応し、薄ダイのハンドリングが可能 ・品質自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応 ・マルチヘッド化により、高生産性/省スペース化を実現 ・各種オプションへも柔軟に対応 1. Face up工法対応、2. 大チップ (□35mm) のTCB実装、3. チップへのFLUX材の転写供給、4. テープリールからのチップ供給への対応、5. OHT によるベースウェーハの供給対応 使用例■つなぐために薄いものをつかむPulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)
多層化が進むNANDフラッシュメモリの厚さは接着層も含めても30umを切りつつあり、この薄さでは、自在に曲がり簡単に割れてしまう。デバイスをボンディングするためには、ダイをピックアップする技術が必須であるが、極薄ダイのハンドリングには大きな困難がある。 デバイスの屈曲をうまく利用したピックアップ方式が、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS) である。シート外部から真空排気を断続的に行うことによって、屈曲したダイの復元する力を利用し、ダイの効率的な剥離を促す。薄ダイのみならず、壊れやすいThrough Silicon Via (TSV) 構造を持つダイなどにも効果的であり、これからの電子デバイス実装において肝となる技術といえる。-
シリーズ
C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce
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C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 品名 | ボンディング対応工法 | ボンディング精度 | マシンUPH | ボンディングツール設定温度 | ボンディングステージ設定温度 | チップサイズ | チップウエハサイズ | ベースウエハサイズ | ボンディング方向 | 駆動源 入力電源 | 駆動源 消費電力 | 駆動源 エアー | 駆動源 真空 | 装置寸法 | 質量 | オプション |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FPB-1w NeoForce |
要見積もり | パッケージボンダ |
・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF) ・C2 C4工法 ・FO-WLP工法 |
±2.5μm (3σ) 当社実装条件による | UPH6,000 (C4 mode/プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による | 室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート) | 室温~200℃ (1℃/ステップ) | ・1~22mm t＝0.02~0.7mm (22mm以上;オプション/条件はご相談ください) |
・φ200mm ・φ300mm |
φ300mm (φ200mmオプション) | Face down/Face up (オプション/条件はご相談下さい) | 単相 AC200V~240V±5％ 50/60Hz (異なる電圧は、ご相談下さい) | 最大14.0kW | 570kPa (5.7kgf/cm2) 300L/min 接続 φ10 Tube3ヶ所 | -75kPa (-550mmHg) 以下 (ゲージ圧) 接続 φ10 Tube3ヶ所 |
・W 2,520mm ・D 1,620mm ・H 1,750mm |
約3,100kg (モニタ、表示灯は含まない) |
・通信インターフェース SECSⅡ ・HSMS ・GEM |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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