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C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce-FPB-1w NeoForce
C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce-ヤマハロボティクスホールディングス株式会社

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■概要

・Chip to WaferのThermal Compression Bonding (TCB) 工法対応パッケージボンダ ・Face down工法対応 (Face up工法はオプション) ・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF) 、C2、C4、FO-WLP工法等に対応可能

■特長

・独自のNVS[Non Vibration System]技術により、高精度なボンディングを実現 ・FFG[Force Free Gantry]により、350Nまでの高荷重に対応 ・高速パルスヒータによる短時間加熱、冷却により、高スループットを実現 ・プロセスモニタリング、管理機能の搭載により、安定した品質とプロセスポータビリテイを実現 ・各種突き上げ方式に対応し、薄ダイのハンドリングが可能 ・品質自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応 ・マルチヘッド化により、高生産性/省スペース化を実現 ・各種オプションへも柔軟に対応 1. Face up工法対応、2. 大チップ (□35mm) のTCB実装、3. チップへのFLUX材の転写供給、4. テープリールからのチップ供給への対応、5. OHT によるベースウェーハの供給対応 使用例

■つなぐために薄いものをつかむPulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS)

多層化が進むNANDフラッシュメモリの厚さは接着層も含めても30umを切りつつあり、この薄さでは、自在に曲がり簡単に割れてしまう。デバイスをボンディングするためには、ダイをピックアップする技術が必須であるが、極薄ダイのハンドリングには大きな困難がある。 デバイスの屈曲をうまく利用したピックアップ方式が、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS) である。シート外部から真空排気を断続的に行うことによって、屈曲したダイの復元する力を利用し、ダイの効率的な剥離を促す。薄ダイのみならず、壊れやすいThrough Silicon Via (TSV) 構造を持つダイなどにも効果的であり、これからの電子デバイス実装において肝となる技術といえる。

  • シリーズ

    C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce

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C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 品名 ボンディング対応工法 ボンディング精度 マシンUPH ボンディングツール設定温度 ボンディングステージ設定温度 チップサイズ チップウエハサイズ ベースウエハサイズ ボンディング方向 駆動源 入力電源 駆動源 消費電力 駆動源 エアー 駆動源 真空 装置寸法 質量 オプション
C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce-品番-FPB-1w NeoForce

FPB-1w NeoForce

要見積もり

パッケージボンダ

・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF)
・C2 C4工法
・FO-WLP工法

±2.5μm (3σ) 当社実装条件による

UPH6,000 (C4 mode/プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による

室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)

室温~200℃ (1℃/ステップ)

・1~22mm t=0.02~0.7mm (22mm以上;オプション/条件はご相談ください)

・φ200mm
・φ300mm

φ300mm (φ200mmオプション)

Face down/Face up (オプション/条件はご相談下さい)

単相 AC200V~240V±5% 50/60Hz (異なる電圧は、ご相談下さい)

最大14.0kW

570kPa (5.7kgf/cm2) 300L/min 接続 φ10 Tube3ヶ所

-75kPa (-550mmHg) 以下 (ゲージ圧) 接続 φ10 Tube3ヶ所

・W 2,520mm
・D 1,620mm
・H 1,750mm

約3,100kg (モニタ、表示灯は含まない)

・通信インターフェース SECSⅡ
・HSMS
・GEM

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