C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce-FPB-1w NeoForce

C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce
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この製品について

■概要・Chip to WaferのThermal Compression Bonding (TCB) 工法対応パッケージボンダ
・Face down工法対応 (Face up工法はオプション) 
・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF) 、C2、C4、FO-WLP工法等に対応可能

■特長・独自のNVS[Non Vibration System]技術により、高精度なボンディングを実現
・FFG[Force Free Gantry]により、350Nまでの高荷重に対応
・高速パルスヒータによる短時間加熱、冷却により、高スループットを実現
・プロセスモニタリング、管理機能の搭載により、安定した品質とプロセスポータビリテイを実現
・各種突き上げ方式に対応し、薄ダイのハンドリングが可能
・品質自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応
・マルチヘッド化により、高生産性/省スペース化を実現
・各種オプションへも柔軟に対応 1. Face up工法対応、2. 大チップ (□35mm) のTCB実装、3. チップへのFLUX材の転写供給、4. テープリールからのチップ供給への対応、5. OHT によるベースウェーハの供給対応

使用例
■つなぐために薄いものをつかむPulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS) 多層化が進むNANDフラッシュメモリの厚さは接着層も含めても30umを切りつつあり、この薄さでは、自在に曲がり簡単に割れてしまう。デバイスをボンディングするためには、ダイをピックアップする技術が必須であるが、極薄ダイのハンドリングには大きな困難がある。

デバイスの屈曲をうまく利用したピックアップ方式が、Pulse Vacuum Reverse Multi Step (PV-RMS) である。シート外部から真空排気を断続的に行うことによって、屈曲したダイの復元する力を利用し、ダイの効率的な剥離を促す。薄ダイのみならず、壊れやすいThrough Silicon Via (TSV) 構造を持つダイなどにも効果的であり、これからの電子デバイス実装において肝となる技術といえる。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce

取扱企業
ヤマハロボティクスホールディングス株式会社

カテゴリ

半導体製造

半導体製造装置

半導体製造

フリップチップボンダ

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C2W対応TCBボンダ FPB-1w NeoForce 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	品名	ボンディング対応工法	ボンディング精度	マシンUPH	ボンディングツール設定温度	ボンディングステージ設定温度	チップサイズ	チップウエハサイズ	ベースウエハサイズ	ボンディング方向	駆動源入力電源	駆動源消費電力	駆動源エアー	駆動源真空	装置寸法	質量	オプション
	FPB-1w NeoForce	要見積もり	パッケージボンダ	・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF) ・C2 C4工法・FO-WLP工法	±2.5μm (3σ) 当社実装条件による	UPH6,000 (C4 mode/プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による	室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)	室温~200℃ (1℃/ステップ)	・1~22mm t＝0.02~0.7mm (22mm以上;オプション/条件はご相談ください)	・φ200mm ・φ300mm	φ300mm (φ200mmオプション)	Face down/Face up (オプション/条件はご相談下さい)	単相 AC200V~240V±5％ 50/60Hz (異なる電圧は、ご相談下さい)	最大14.0kW	570kPa (5.7kgf/cm2) 300L/min 接続 φ10 Tube3ヶ所	-75kPa (-550mmHg) 以下 (ゲージ圧) 接続 φ10 Tube3ヶ所	・W 2,520mm ・D 1,620mm ・H 1,750mm	約3,100kg (モニタ、表示灯は含まない)	・通信インターフェース SECSⅡ ・HSMS ・GEM