高速高精度小チップダイボンダ STC-800
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この製品について

■概要・小チップ用高速、高精度ダイボンダ
・共晶、WBC/DAF、エポキシプロセス対応
・小信号トランジスタ、ダイオード等の小型ダイを対象とし、ウエハから直接リードフレームにダイボンディングする、熱共晶タイプの高速ダイボンダです。
・ウエハからダイをピックアップし、直接リードフレーム上に熱共晶にて、ダイボンディングします。
・ウエハシート上のダイの不良識別マークおよび大きなカケを自動検出して、良品のみをピックアップします。
・リードフレームは、フレームスタックローダより供給し、ボンディング後はアンローダマガジンに収納します。

■特長・ボンディング精度±20μm (3σ) (オプションにより±15μm (3σ) ) 
・従来機比UPH10％向上
・リニア駆動の採用により、リードフレームの高精度搬送を実現
・幅86mmまでのフレームに対応し、Yボンディングエリア76mmに対応可能 (熱共晶方式) 
・各種デバイスへフレキシブルに対応するための多彩な機能を用意 (ウエハシート引き伸ばし量設定パラメータ、ダイ認識用カメラズーム機能等) 
・エポキシユニットを搭載することにより、エポキシボンディングに対応 (デュアルヘッド) 
・ユニバーサルフィーダ搭載により幅100mm、長さ300mmまでのフレームに対応 (ペースト滴下方式) 
・ダイ裏面カメラ (オプション) の適用により、更なる高精度化、多彩な検査機能を実現
・共晶、WBC/DAF*、エポキシプロセス間のプロセスコンバージョンキットを用意 *WBC/DAF : Wafer Backside Coating / Die Attach Film

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
高速高精度小チップダイボンダ STC-800

取扱企業
ヤマハロボティクスホールディングス株式会社

カテゴリ

半導体製造

半導体製造装置

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高速高精度小チップダイボンダ STC-800 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	品名	ボンディング方式	ボンディング精度	マシンサイクルタイム	フレームフィーダ設定温度	フレーム搬送	ウエハ引伸ばし量	チップサイズ	ウエハサイズ	ワークサイズ幅	ワークサイズ長さ	ワークサイズ厚さ	駆動源入力電源	駆動源消費電力	駆動源エアー	駆動源 N2ガス	駆動源フォーミングガス	駆動源真空	オプション
	STC-800	要見積もり	ダイボンダ	・熱共晶方式・ペースト滴下方式・熱圧着方式	・スタンダードXY:±20μm (3σ) θ:±3° (3σ) 当社実装条件による・高精度対応XY:±15μm (3σ) θ:±3° (3σ) 当社実装条件による	0.140s/チップ (Y=40mm時) 当社実装条件による平均0.168s/チップ UPH21,400	・固定フィーダ:室温~500℃ (3ch制御) ・ユニバーサルフィーダ:室温 (Option:室温~200℃)	・固定フィーダピン搬送 (熱共晶、熱圧着方式) ・ユニバーサルフィーダ、グリップ搬送 (ペースト滴下、熱圧着方式)	5~15mm (可変)	・0.12~1.5mm (熱共晶、熱圧着方式) ・0.3~3.0mm (ペースト滴下、熱圧着方式)	最大8インチ	・20~86mm (最大ボンディングエリア＝76mm) 熱共晶方式・30~100mm (最大ボンディングエリア＝90mm) ペースト滴下、熱圧着方式	・120~260mm (最大ボンディングエリア＝10mm) 熱共晶方式・100~300mm (最大ボンディングエリア＝10mm) ペースト滴下、熱圧着方式	0.1~0.4mm	単相 AC200V±5％ 50/60Hz (異なる電圧は、ご相談下さい)	・最大 2.23kVA (2.0kW) 熱共晶方式・最大 0.93kVA (0.78kW) ペースト滴下方式	400kPa (4kgf/cm2) 250L/min 接続:φ8Tube2ヶ所	200kPa (2kgf/cm2) 10L/min 接続:φ6Tube1ヶ所	N295％＋H25％ (熱共晶方式時のみ)	-87kPa (-650mmHg) 以下 (ゲージ圧) 接続:φ8Tube1ヶ所	・マガジンローダストッカ方式・ダイ裏面認識機能