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排気性能 到達圧力
≦0.13Pa
排気性能 排気時間
≦0.13Pa 1min以内
真空槽
透明石英管/Φ100mm (最大外径) アルミナ管/Φ100mm (最大外径)
排気系 主排気ポンプ
油回転真空ポンプ
排気系 補助ポンプ
メカニカルブースタポンプ
排気系 各種バルブ
手動操作
真空計 低真空
ピラニ真空計
基板サイズ
MAXΦ40mm 不定形状可能
反応性ガス
O2、TEOS
槽内アクセス アクセスドア
Oリングシール
機能 加熱温度
常用800℃ MAX900℃
機能 加熱域
2ゾーン
機能 ヒータ容量
2kW
制御系 主操作
手動 制御盤 各種操作パネル
オプション プロセスガス
TEOSガス供給
オプション 水冷機構
水冷水循環装置
オプション 排気バルブ
自動バルブ
ユーティリティ 電力・接地
主電源系 3Φ AC200V 60A 50/60Hz
ユーティリティ 冷却水
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~35℃ 水量：≧10L/min
ユーティリティ ペントガス
窒素ガス 0.1~0.15MPa
ユーティリティ 圧縮空気
0.5~0.8MPa
ユーティリティ 設置面積
(W×D×H) ＝1,300mm×1,300mm×1,500mm
型番
熱CVD装置シリーズ
CVD装置 熱CVD装置取扱企業
株式会社日本シード研究所カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 排気性能 到達圧力 | 排気性能 排気時間 | 真空槽 | 排気系 主排気ポンプ | 排気系 補助ポンプ | 排気系 各種バルブ | 真空計 低真空 | 基板サイズ | 反応性ガス | 槽内アクセス アクセスドア | 機能 加熱温度 | 機能 加熱域 | 機能 ヒータ容量 | 制御系 主操作 | オプション プロセスガス | オプション 水冷機構 | オプション 排気バルブ | ユーティリティ 電力・接地 | ユーティリティ 冷却水 | ユーティリティ ペントガス | ユーティリティ 圧縮空気 | ユーティリティ 設置面積 |
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要見積もり | ≦0.13Pa |
≦0.13Pa 1min以内 |
透明石英管/Φ100mm (最大外径) アルミナ管/Φ100mm (最大外径) |
油回転真空ポンプ | メカニカルブースタポンプ | 手動操作 | ピラニ真空計 |
MAXΦ40mm 不定形状可能 |
O2、TEOS | Oリングシール |
常用800℃ MAX900℃ |
2ゾーン | 2kW |
手動 制御盤 各種操作パネル |
TEOSガス供給 | 水冷水循環装置 | 自動バルブ |
主電源系 3Φ AC200V 60A 50/60Hz |
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~35℃ 水量：≧10L/min |
窒素ガス 0.1~0.15MPa |
0.5~0.8MPa | (W×D×H) ＝1,300mm×1,300mm×1,500mm |
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工程分類が成膜装置の製品
半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測工程分類
成膜装置 リソグラフィ装置 エッチング装置搬送方式
バッチ式 シングル式 クラスター式 真空搬送式成膜方式
化学気相成長型 物理気相成長型 スピンコート型ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260
