プラズマCVD装置 | CVD装置プラズマCVD装置
株式会社日本シード研究所

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装置構成搬送系 (標準)

手動トランスファーロッド

装置構成モジュール

試料交換室×1室プロセス室×1室

真空槽プロセス室

プラズマCVD室直流 (DC) プラズマ式

到達圧力試料交換室 (標準)

≦10Pa (プロセス室補助ポンプ共用)

到達圧力プロセス室 (標準)

≦1.0×10^ｰ3Pa

真空槽

SUSチャンバ

排気系主排気ポンプ

試料交換室：油回転真空ポンププロセス室：ターボ分子ポンプ

排気系補助ポンプ

油回転真空ポンプ (試料交換室主排気ポンプ共用)

排気系各種バルブ

PLC操作 (自動および手動)

真空計低真空

ピラニ真空計

真空計高真空圧力制御

ワイドレンジ真空計

基板サイズ

MAX2インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能

反応性ガス

H2＋N2＋C2H4 (プロセス室構成例)

槽内アクセスアクセスドア

試料交換室：Oリングシールプロセス室：Oリングシール、アクセスフランジ

制御系主操作

制御盤PLC操作

機能 (例) 試料交換室

トランスファーロッド (ホルダ×1式積載)

機能 (例) CVD室

成膜ステージ (X) 基板加熱 (常用600℃、MAX800℃)

オプション圧力制御

絶対圧真空計

オプション水冷機構

冷却水循環装置

ユーティリティ電力

3Φ AC200V 50/60Hz 30A (プロセス室構成例)

ユーティリティ冷却水

供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~28℃ 水量：≧6L/min (プロセス室構成例)

ユーティリティプロセスガス

Ar、H2、N2 (プロセス室構成例)

ユーティリティペントガス

窒素ガス 0.1~0.15MPa

ユーティリティ圧縮空気

0.5~0.8MPa

ユーティリティ設置面積

(W×D×H) ＝1.8m×0.8m×1.8m (プロセス室構成例)

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この製品について

■概要・容量結合型プラズマ方式のCVD装置です。
・加熱機構を備えており、任意の温度に基板を加熱して成膜することが可能です。
・直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。
・ウエハサイズ 最大2インチ×1 (専用搬送トレイ) 
・ロードロック式、トランスファーロッド式搬送機構
・HV仕様 (1.0×10-3 Pa以下) 
・DCプラズマ

■特徴・試料交換室とトランスファーロッドを備えたロードロック式成膜装置です。
・輻射式の加熱機構を備え、基板温度を最高800℃で加熱制御します。
・成膜ステージはX軸移動式となっており、プラズマエリア中を移動させることが可能です。
・低温から高温、プラズマ範囲内での位置変更や連続移動を行うなどにより、様々な条件での成膜が行えます。
・最大2インチ基板対応の専用基板ホルダを付属します。

型番
プラズマCVD装置

シリーズ
CVD装置プラズマCVD装置

取扱企業
株式会社日本シード研究所

カテゴリ

加工・工作機器

プラズマCVD装置

加工・工作機器

成膜装置

半導体製造

CVD装置

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CVD装置プラズマCVD装置プラズマCVD装置の性能表

商品画像	価格 (税抜)	装置構成搬送系 (標準)	装置構成モジュール	真空槽プロセス室	到達圧力試料交換室 (標準)	到達圧力プロセス室 (標準)	真空槽	排気系主排気ポンプ	排気系補助ポンプ	排気系各種バルブ	真空計低真空	真空計高真空圧力制御	基板サイズ	反応性ガス	槽内アクセスアクセスドア	制御系主操作	機能 (例) 試料交換室	機能 (例) CVD室	オプション圧力制御	オプション水冷機構	ユーティリティ電力	ユーティリティ冷却水	ユーティリティプロセスガス	ユーティリティペントガス	ユーティリティ圧縮空気	ユーティリティ設置面積
	要見積もり	手動トランスファーロッド	試料交換室×1室プロセス室×1室	プラズマCVD室直流 (DC) プラズマ式	≦10Pa (プロセス室補助ポンプ共用)	≦1.0×10^ｰ3Pa	SUSチャンバ	試料交換室：油回転真空ポンププロセス室：ターボ分子ポンプ	油回転真空ポンプ (試料交換室主排気ポンプ共用)	PLC操作 (自動および手動)	ピラニ真空計	ワイドレンジ真空計	MAX2インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能	H2＋N2＋C2H4 (プロセス室構成例)	試料交換室：Oリングシールプロセス室：Oリングシール、アクセスフランジ	制御盤PLC操作	トランスファーロッド (ホルダ×1式積載)	成膜ステージ (X) 基板加熱 (常用600℃、MAX800℃)	絶対圧真空計	冷却水循環装置	3Φ AC200V 50/60Hz 30A (プロセス室構成例)	供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~28℃ 水量：≧6L/min (プロセス室構成例)	Ar、H2、N2 (プロセス室構成例)	窒素ガス 0.1~0.15MPa	0.5~0.8MPa	(W×D×H) ＝1.8m×0.8m×1.8m (プロセス室構成例)