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排気性能 到達圧力
≦1.0×10^ｰ5Pa
排気性能 排気時間
≦2.0×10^ｰ5Pa 40min以内
真空槽
SUS製チャンバ Φ200×400mm (H)
真空槽 基板/カソード間距離
100mm
真空槽 ベーキング
Max100℃
排気系 主排気ポンプ
ターボ分子ポンプ (空冷)
排気系 補助ポンプ
油回転真空ポンプ orドライ真空ポンプ
排気系 各種バルブ
手動操作
真空計 低真空 高真空
ワイドレンジ真空計
基板サイズ
MAX2インチ
槽内アクセス アクセスドア
Oリングシール
制御系 主操作
手動 制御盤 各種操作パネル
機能 シャッター
手動 カゾード部
オプション 膜厚制御
水晶振動子式膜厚計 電源停止 連動機能
オプション 排気バルブ
自動バルブ
オプション ステージ
基板高温加熱or水冷 成膜ステージ (X-Y、Z、Rotary)
ユーティリティ 電力・接地
真空計等 1Φ AC100V 10A 50/60Hz
ユーティリティ 冷却水
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~35℃ 水量：≧10L/min (プロセス室構成例)
ユーティリティ プロセスガス
Ar、O2、N2 (プロセス室構成例)
ユーティリティ ペントガス
窒素ガス 0.1~0.15MPa
ユーティリティ 圧縮空気
0.5~0.8MPa
ユーティリティ 設置面積
(W×D×H) ＝1,300mm×1,000mm×2,000mm
ユーティリティ 重量
装置本体：500kg
型番
超高真空スパッタ成膜装置取扱企業
株式会社日本シード研究所カテゴリ
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半導体製造装置の製品203点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 排気性能 到達圧力 | 排気性能 排気時間 | 真空槽 | 真空槽 基板/カソード間距離 | 真空槽 ベーキング | 排気系 主排気ポンプ | 排気系 補助ポンプ | 排気系 各種バルブ | 真空計 低真空 高真空 | 基板サイズ | 槽内アクセス アクセスドア | 制御系 主操作 | 機能 シャッター | オプション 膜厚制御 | オプション 排気バルブ | オプション ステージ | ユーティリティ 電力・接地 | ユーティリティ 冷却水 | ユーティリティ プロセスガス | ユーティリティ ペントガス | ユーティリティ 圧縮空気 | ユーティリティ 設置面積 | ユーティリティ 重量 |
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要見積もり | ≦1.0×10^ｰ5Pa |
≦2.0×10^ｰ5Pa 40min以内 |
SUS製チャンバ Φ200×400mm (H) |
100mm | Max100℃ | ターボ分子ポンプ (空冷) |
油回転真空ポンプ orドライ真空ポンプ |
手動操作 | ワイドレンジ真空計 | MAX2インチ | Oリングシール |
手動 制御盤 各種操作パネル |
手動 カゾード部 |
水晶振動子式膜厚計 電源停止 連動機能 |
自動バルブ |
基板高温加熱or水冷 成膜ステージ (X-Y、Z、Rotary) |
真空計等 1Φ AC100V 10A 50/60Hz |
供給圧：0.2~0.3MPa 水温：20~35℃ 水量：≧10L/min (プロセス室構成例) |
Ar、O2、N2 (プロセス室構成例) |
窒素ガス 0.1~0.15MPa |
0.5~0.8MPa | (W×D×H) ＝1,300mm×1,000mm×2,000mm | 装置本体：500kg |
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半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測工程分類
成膜装置 リソグラフィ装置 エッチング装置搬送方式
バッチ式 シングル式 クラスター式 真空搬送式成膜方式
化学気相成長型 物理気相成長型 スピンコート型ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260
