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装置構成 搬送系
モータ駆動自動式 トランスファーロッド×3式
装置構成 モジュール (標準)
試料交換室×1室 プロセス室×3室
装置構成 プロセス室 (構成例)
Nb Sputter室 AL Sputter室 lon Beam Sputter室
到達圧力 試料交換室 (標準)
≦1.0×10^ー4Pa
到達圧力 プロセス室 (標準)
≦2.66×10^ー6Pa
真空槽
SUS製チャンバ (UHV仕様)
排気系 主排気ポンプ
試料交換室:ターボ分子ポンプ プロセス室:ターボ分子ポンプorクライオポンプ
排気系 補助ポンプ
油圧回路真空ポンプorドライ真空ポンプ
排気系 各種バルブ
PLC操作 (自動および手動)
真空計 低真空
ピラニ真空計
真空計 高真空
電離真空計
真空計 圧力制御
絶対圧真空計
基板サイズ
MAX4インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能
制御系 主操作
制御盤PLC操作
制御系 自動動作機能
全自動 レシピ制御対応
機能 (例) 試料交換室
ホルダラック (ホルダ×4式積載) チャンバベーク
機能 (例) Sputter室
スパッタアップ、スパッタ源×1 基板トリートメント×1 成膜ステージ (X-Y、Rotary、水冷) 酸化処理機能
機能 (例) lon Beam Sputter室
スパッタアップ スパッタターゲット×2 (切替) 成膜ステージ (Z、Rotary) 基板高温加熱 酸化処理機能
機能 (例) その他
ダウンストリーム自動圧力制御 アップストリーム自動圧力制御 四重極質量分析計 (Q-Mass)
ユーティリティ 電力
3Φ AC200V 50/60Hz 150A (プロセス室構成例)
ユーティリティ 冷却水
供給圧:0.2~0.3MPa 水温:20~28℃ 水量:≧30L/min (プロセス室構成例)
ユーティリティ プロセスガス
Ar、O2、N2 (プロセス室構成例)
ユーティリティ ペントガス
窒素ガス 0.1~0.15MPa
ユーティリティ 圧縮空気
0.5~0.8MPa
ユーティリティ 設置面積
(W×D×H) =4.0m×3.0m×3.0m (プロセス室構成例)
型番
インライン式スパッタ成膜装置取扱企業
株式会社日本シード研究所カテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | 装置構成 搬送系 | 装置構成 モジュール (標準) | 装置構成 プロセス室 (構成例) | 到達圧力 試料交換室 (標準) | 到達圧力 プロセス室 (標準) | 真空槽 | 排気系 主排気ポンプ | 排気系 補助ポンプ | 排気系 各種バルブ | 真空計 低真空 | 真空計 高真空 | 真空計 圧力制御 | 基板サイズ | 制御系 主操作 | 制御系 自動動作機能 | 機能 (例) 試料交換室 | 機能 (例) Sputter室 | 機能 (例) lon Beam Sputter室 | 機能 (例) その他 | ユーティリティ 電力 | ユーティリティ 冷却水 | ユーティリティ プロセスガス | ユーティリティ ペントガス | ユーティリティ 圧縮空気 | ユーティリティ 設置面積 |
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要見積もり |
モータ駆動自動式 トランスファーロッド×3式 |
試料交換室×1室 プロセス室×3室 |
Nb Sputter室 AL Sputter室 lon Beam Sputter室 |
≦1.0×10^ー4Pa | ≦2.66×10^ー6Pa | SUS製チャンバ (UHV仕様) |
試料交換室:ターボ分子ポンプ プロセス室:ターボ分子ポンプorクライオポンプ |
油圧回路真空ポンプorドライ真空ポンプ | PLC操作 (自動および手動) | ピラニ真空計 | 電離真空計 | 絶対圧真空計 |
MAX4インチ (付属専用ホルダ) 不定形状可能 |
制御盤PLC操作 |
全自動 レシピ制御対応 |
ホルダラック (ホルダ×4式積載) チャンバベーク |
スパッタアップ、スパッタ源×1 基板トリートメント×1 成膜ステージ (X-Y、Rotary、水冷) 酸化処理機能 |
スパッタアップ スパッタターゲット×2 (切替) 成膜ステージ (Z、Rotary) 基板高温加熱 酸化処理機能 |
ダウンストリーム自動圧力制御 アップストリーム自動圧力制御 四重極質量分析計 (Q-Mass) |
3Φ AC200V 50/60Hz 150A (プロセス室構成例) |
供給圧:0.2~0.3MPa 水温:20~28℃ 水量:≧30L/min (プロセス室構成例) |
Ar、O2、N2 (プロセス室構成例) |
窒素ガス 0.1~0.15MPa |
0.5~0.8MPa |
(W×D×H) =4.0m×3.0m×3.0m (プロセス室構成例) |
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半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測工程分類
成膜装置 リソグラフィ装置 エッチング装置搬送方式
バッチ式 シングル式 クラスター式 真空搬送式成膜方式
化学気相成長型 物理気相成長型 スピンコート型ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260