WLP-611S | 枚葉式プラズマ処理装置 WLP-611S
株式会社エスクラフト

全型番で同じ値の指標

処理方式

平行平板プラズマ励起方式 (DP／RIE切替可)

処理室

AL製 (シングルチャンバー)

RF電源

600~1,000W 13.56MHz オートチューニング

処理ガス

O2 1,000SCCM CF4 500SCCM 1系統増設可 (オプション)

パージガス

スループット

3,000枚／400時間 (ポリイミド膜1μmエッチング時)

処理ステップ

3ステップ，10レシピ

ウエハーサイズ

6インチ，8インチ兼用

ウエハー搬送方式

垂直動作カセットエレベータ (6インチ，8インチ兼用) 水平・旋回動作1フィンガー吸着方式クリーンロボット

本体寸法

W600×D1,500×H1,850

本体重量

650kg

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この製品について

WLPは多様化したアプリケーションに対応する為、RFパワーを下部電極に印加 (RIE方式) 又は、上部電極に印加 (DP方式) を実現しております。6～8インチのSi、Poly－Siなどのエッチングやポリミド系樹脂のエッチング及びフォトレジストのアッシングなど多種多様なプロセスに御利用頂けます。価格は低廉でありながら、搭載されたシーケンサにより各種エッチング条件の管理を行う事が出来る高性能でコストパフォーマンスに優れた装置です。

■容易なプラズマモード切替RIE (Reactive Ion Etching) ⇔DP (Direct Plasma) がコントロールパネル上の操作のみで切り替え可能です。

■バリエーションWLP-611S：ワーク変質防止、生産性アップ、ロードロックチャンバー／真空ロボット仕様。御客様の要求に応じて対応致します。

■高速追従性小型の電力整合方式マッチャーを採用しており、プラズマ整合の高速化を実現しております。整合時間の短縮化により、プラズマ着火時における素子へのチャージアップダメージの低減を実現しております。

■省フットプリントクリーンルーム占有面積WLP-600S、600 (W) ×1,500 (D) 。スルーザウォール対応にてクリーンルームの省スペース化を実現しております。

■多種多様なプロセスに対応Si、Poly-Siなどのエッチングやポリミド系樹脂のエッチング、フォトレジストのアッシングなど様々な用途で御使用頂けます。 又、RIE (Reactive Ion Etching) ⇔DP (Direct Plasma) がコントロールパネル上の操作のみで切り替え可能な為、各レシピ内のステップ処理を利用する事で様々なプロセスが実現可能です。

■多種多様なカスタマイズ性基本的なプラットフォームを利用して御客様の様々な要求に応じた対応を致します。

■将来的な収束問題の解消制御系にはシーケンサを使用しており、PCのモデルチェンジ等にありがちな収束問題も解消出来ます。

型番
WLP-611S

シリーズ
枚葉式プラズマ処理装置 WLP-611S

取扱企業
株式会社エスクラフト

カテゴリ

半導体製造

半導体製造装置

加工・工作機器

プラズマ処理装置

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枚葉式プラズマ処理装置 WLP-611S WLP-611Sの性能表

商品画像	価格 (税抜)	処理方式	処理室	RF電源	処理ガス	パージガス	スループット	処理ステップ	ウエハーサイズ	ウエハー搬送方式	本体寸法	本体重量
	要見積もり	平行平板プラズマ励起方式 (DP／RIE切替可)	AL製 (シングルチャンバー)	600~1,000W 13.56MHz オートチューニング	O2 1,000SCCM CF4 500SCCM 1系統増設可 (オプション)	N2	3,000枚／400時間 (ポリイミド膜1μmエッチング時)	3ステップ，10レシピ	6インチ，8インチ兼用	垂直動作カセットエレベータ (6インチ，8インチ兼用) 水平・旋回動作1フィンガー吸着方式クリーンロボット	W600×D1,500×H1,850	650kg