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100.0%
返答時間
39.3時間
品名
パッケージボンダ
ボンディング対応工法
・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF) ・C2 C4工法 ・FO-WLP工法
ボンディング精度
±2.5μm (3σ) 当社実装条件による
マシンUPH
UPH6,000 (C4 mode/プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による
ボンディングツール設定温度
室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)
ボンディングステージ設定温度
室温~200℃ (1℃/ステップ)
チップサイズ
・1~22mm t＝0.02~0.7mm (22mm以上;オプション/条件はご相談ください)
チップウエハサイズ
・φ200mm ・φ300mm
ベースウエハサイズ
φ300mm (φ200mmオプション)
ボンディング方向
Face down/Face up (オプション/条件はご相談下さい)
駆動源 入力電源
単相 AC200V~240V±5％ 50/60Hz (異なる電圧は、ご相談下さい)
駆動源 消費電力
最大14.0kW
駆動源 エアー
570kPa (5.7kgf/cm2) 300L/min 接続 φ10 Tube3ヶ所
駆動源 真空
-75kPa (-550mmHg) 以下 (ゲージ圧) 接続 φ10 Tube3ヶ所
装置寸法
・W 2,520mm ・D 1,620mm ・H 1,750mm
質量
約3,100kg (モニタ、表示灯は含まない)
型番
FPB-1w NeoForceカテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 品名 | ボンディング対応工法 | ボンディング精度 | マシンUPH | ボンディングツール設定温度 | ボンディングステージ設定温度 | チップサイズ | チップウエハサイズ | ベースウエハサイズ | ボンディング方向 | 駆動源 入力電源 | 駆動源 消費電力 | 駆動源 エアー | 駆動源 真空 | 装置寸法 | 質量 | オプション |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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要見積もり | パッケージボンダ |
・TCB工法 (NCP/NCF/TC-CUF) ・C2 C4工法 ・FO-WLP工法 |
±2.5μm (3σ) 当社実装条件による | UPH6,000 (C4 mode/プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による | 室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート) | 室温~200℃ (1℃/ステップ) | ・1~22mm t＝0.02~0.7mm (22mm以上;オプション/条件はご相談ください) |
・φ200mm ・φ300mm |
φ300mm (φ200mmオプション) | Face down/Face up (オプション/条件はご相談下さい) | 単相 AC200V~240V±5％ 50/60Hz (異なる電圧は、ご相談下さい) | 最大14.0kW | 570kPa (5.7kgf/cm2) 300L/min 接続 φ10 Tube3ヶ所 | -75kPa (-550mmHg) 以下 (ゲージ圧) 接続 φ10 Tube3ヶ所 |
・W 2,520mm ・D 1,620mm ・H 1,750mm |
約3,100kg (モニタ、表示灯は含まない) |
・通信インターフェース SECSⅡ |
半導体製造装置の中でこの商品と同じ値をもつ製品
使用用途が組立の製品
半導体製造装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#成膜 #エッチング #洗浄 #アッシング #イオン注入 #検査 #搬送 #アライメント #パターニング #組立 #封止 #計測ウェハーサイズ mm
0 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 250 250 - 300 300 - 350チップサイズ mm
0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 35基板サイズ mm
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500処理能力 秒/chip
0 - 1 1 - 2 2 - 31ボンディング精度 μm
0 - 1 1 - 3 3 - 6 6 - 13 13 - 21電源電圧 V
90 - 120 120 - 220 220 - 260返答率
100.0%
返答時間
39.3時間
