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トランジスタに含まれる5カテゴリ一覧です。フォトトランジスタ・トランジスタアレイ・パワートランジスタなど幅広く、製品・メーカー・代理店を探すことができます。
148 点の製品中 6ページ目
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トレックス・セミコンダクター株式会社
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■20V 1A N-ch パワーMOSFET XP151A11B0MRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したNチャネルパワーMOS FET です。スイッチング速度の高速化ができ、...
5種類の品番
イサハヤ電子株式会社
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2SA1368は、樹脂封止形のシリコンPNPエビタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計、製造されておりますので、リレードライブ、電...
アルワン電子株式会社
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LDR (CDS) の代替として開発された可視光受光センサです。可視光領域に感度を持ち、0～6,000Luxの照度に対して優れた直線性の出力が得られ、照明機器などに幅...
2種類の品番
イサハヤ電子株式会社
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2SA1363は、樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トランジスタです。コレクタ損失が大きく、特にコレクタ電流が大きく設計、製造されていますので、小形モ...
株式会社ユニテク
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US7510 は、樹脂でモールドされた Φ3 砲弾型高感度シリコンフォトトランジスタです。 ■特長 ・高感度フォトトランジスタ ・小型Φ3mm ・RoHS 適合品 ・生...
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株式会社ユニテク
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UI1428は、検知スリット部をフラットにし、物体検知時に点灯する動作表示灯を付けた、防塵構造の透過型フォトICセンサです。 ■特長 ・受光フォトICを使用 ・...
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Luckylight Electronics Co., Ltd
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■概要 フォトトランジスタは、光に敏感なベース領域を持つ 3 端子 (エミッタ、ベース、コレクタ) または 2 端子 (エミッタとコレクタ) の半導体デバイスです...
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イサハヤ電子株式会社
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P136Xシリーズがあります。 ■用途 イン...
イサハヤ電子株式会社
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2SA1945は、樹脂封止形シリコンPNPエビタキシァル形トランジスタでコレクタ電流が大きく、高耐圧に設計、製造されております。2SC5211とコンブリメンタリで使...
イサハヤ電子株式会社
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■特徴 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=1.0kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ・コンプリメンタリとしてRT1P130Xシリーズがあります。 ■用途 インバータ...
イサハヤ電子株式会社
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■特長 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・セットの小型化、高密度実装が可能 ■用途 インバータ回路、スイッチング回路、インターフェース回路、...
Luckylight Electronics Co., Ltd
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■概要 フォトトランジスタは、光に敏感なベース領域を持つ 3 端子 (エミッタ、ベース、コレクタ) または 2 端子 (エミッタとコレクタ) の半導体デバイスです...
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コーデンシ株式会社
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■フォトインタラプタ フォトインタラプタとは、光を発する発光部と光を受光する受光部で構成され、遮蔽物による光路の遮断または反射により生じる光強度の変...
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東和電子株式会社
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トランジスター出力製品は電源の電圧フィードバック回路や産業機器のインターフェースなど広い用途に使用されています。 ■製品概要 ・RoHS Compatible Produ...
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