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パワートランジスタのメーカー12社一覧や企業ランキングを掲載中!パワートランジスタ関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:東芝デバイス&ストレージ株式会社、2位:オン・セミコンダクター株式会社、3位:Texas instrumentsとなっています。 パワートランジスタの概要、用途、原理もチェック!
パワートランジスタとは、動作時の許容電力が1W以上のトランジスタです。
大きな電流を用いて駆動する電気機器に使用されています。パワートランジスタの主な役割は、電流の増幅、スイッチング、交流の整流です。
扱う電流が大きいため、動作時の発熱が大きく、ケースに耐熱の金属が使用されていたり、放熱用のフィンが付随していたりする製品もあります。パワートランジスタの中でもいくつか種類があり、バイポーラパワートランジスタ、MOSFET、IGBTなどが代表的です。
2025年7月の注目ランキングベスト10
順位 | 会社名 | クリックシェア |
---|---|---|
1 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
19.2%
|
2 | オン・セミコンダクター株式会社 |
15.4%
|
3 | Texas instruments |
11.5%
|
4 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
11.5%
|
5 | 株式会社三社電機製作所 |
7.7%
|
6 | サンケン電気株式会社 |
7.7%
|
7 | STマイクロエレクトロニクス株式会社 |
7.7%
|
8 | 株式会社タイワン・セミコンダクター |
3.8%
|
9 | インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 |
3.8%
|
10 | トレックス・セミコンダクター株式会社 |
3.8%
|
業界別
🚗 自動車・輸送用機器項目別
使用用途
#電源回路
#インバータ
#モータ制御
#照明機器
#通信機器
#車載機器
#産業機器
#医療機器
#民生機器
#太陽光発電
#鉄道機器
#航空宇宙
動作構造
バイポーラ型
MOS型
IGBT型
極性構造
Nチャネル型
Pチャネル型
パッケージ形状
スルーホール型
表面実装型
半導体素材
シリコン型
シリコンカーバイド型
ガリウムナイトライド型
電圧 V
-50 - 0
0 - 50
50 - 200
200 - 1,000
1,000 - 1,500
電流 A
-50 - 0
0 - 20
20 - 80
80 - 160
RDS ON mΩ
0 - 10
10 - 50
50 - 100
100 - 300
VGS th V
-3 - -1
-1 - 1
1 - 3
3 - 7
ID 最大値 A
-40 - 0
0 - 20
20 - 40
40 - 120
Ciss pF
0 - 500
500 - 1,000
1,000 - 5,000
5,000 - 10,000
TJ 最大値 °C
140 - 160
160 - 180
構成
シングル
相補型
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
1000人以上が見ています
最新の閲覧: 1日前
返信の比較的早い企業
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最新の閲覧: 12時間前
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返信の比較的早い企業
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■CoolGaN™:民生用、産業用、車載用アプリケーションにおいて、最高の効率と電力密度を実現するディスクリートおよび統合ソリューション...
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■パワー半導体とは 三社電機グループが開発・製造している半導体は、よく知られているメモリーやマイコンなどの集積回路半導体ではなく...
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東和電子株式会社
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IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) は、MOSFETの様にゲート・エミッター間電圧を制御することで、コレクター・エミッター間をON...
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ノンパンチスルー (NPT) 型とフィールドストップ型の400Vと1200Vの製品をラインアップ。400V品はESDダイオードを内蔵し、1200V品はファ...
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GNE10xxTBシリーズは、一般的なGaNHEMTの課題であった、ゲート-ソース間定格電圧を業界最高となる8Vに高め、パッケージも扱いやすいDFN...
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敬誠株式会社
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トレックス・セミコンダクター株式会社
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■20V 1A N-ch パワーMOSFET XP151A11B0MRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したNチャネルパワーMOS FET です。スイッチング...
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■特長 TOSHIBA/東芝 半導体デバイス、IC 高速スイッチング用バイポーラパワートランジスタ2SA1213-Y (TE12L,ZC リール品での販売となり...
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■概要 Pチャンネルエンハンストモード・パワーMOSFETは、フェアチャイルドセミコンダクター (現ONコンダクター) 独自のプレーナストライ...