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パワートランジスタのメーカー12社一覧や企業ランキングを掲載中！パワートランジスタ関連企業の2025年7月注目ランキングは1位:東芝デバイス&ストレージ株式会社、2位:オン・セミコンダクター株式会社、3位:Texas instrumentsとなっています。 パワートランジスタの概要、用途、原理もチェック！
パワートランジスタとは、動作時の許容電力が1W以上のトランジスタです。
大きな電流を用いて駆動する電気機器に使用されています。パワートランジスタの主な役割は、電流の増幅、スイッチング、交流の整流です。
扱う電流が大きいため、動作時の発熱が大きく、ケースに耐熱の金属が使用されていたり、放熱用のフィンが付随していたりする製品もあります。パワートランジスタの中でもいくつか種類があり、バイポーラパワートランジスタ、MOSFET、IGBTなどが代表的です。
2025年7月の注目ランキングベスト10
| 順位 | 会社名 | クリックシェア |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 |
19.2%
|
| 2 | オン・セミコンダクター株式会社 |
15.4%
|
| 3 | Texas instruments |
11.5%
|
| 4 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 |
11.5%
|
| 5 | 株式会社三社電機製作所 |
7.7%
|
| 6 | サンケン電気株式会社 |
7.7%
|
| 7 | STマイクロエレクトロニクス株式会社 |
7.7%
|
| 8 | 株式会社タイワン・セミコンダクター |
3.8%
|
| 9 | インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 |
3.8%
|
| 10 | トレックス・セミコンダクター株式会社 |
3.8%
|
業界別
🚗 自動車・輸送用機器項目別
使用用途
#電源回路
#産業機器
#太陽光発電
動作構造
MOS型
極性構造
Nチャネル型
Pチャネル型
半導体素材
シリコン型
ガリウムナイトライド型
電圧 V
-50 - 0
0 - 50
200 - 1,000
電流 A
-50 - 0
0 - 20
20 - 80
RDS ON mΩ
0 - 10
10 - 50
50 - 100
100 - 300
VGS th V
-3 - -1
-1 - 1
1 - 3
3 - 7
ID 最大値 A
-40 - 0
0 - 20
20 - 40
Ciss pF
0 - 500
500 - 1,000
1,000 - 5,000
TJ 最大値 °C
140 - 160
構成
シングル
相補型
4 点の製品がみつかりました
4 点の製品
株式会社タイワン・セミコンダクター
300人以上が見ています
GaNパワー台湾セミコンダクターは、5×6 および 8×8 mm の小型フットプリントで熱効率の高い PDFN パッケージにパッケージされた 650V エ...
パワートランジスタとは、動作時の許容電力が1W以上のトランジスタです。
大きな電流を用いて駆動する電気機器に使用されています。パワートランジスタの主な役割は、電流の増幅、スイッチング、交流の整流です。
扱う電流が大きいため、動作時の発熱が大きく、ケースに耐熱の金属が使用されていたり、放熱用のフィンが付随していたりする製品もあります。パワートランジスタの中でもいくつか種類があり、バイポーラパワートランジスタ、MOSFET、IGBTなどが代表的です。
パワートランジスタは、動作に大きな電流が必要な電気機器のスイッチングや電流の増幅といった用途に使用されます。代表的な使用先は、エアコン・冷蔵庫・洗濯機などの家電製品、太陽光発電、電気自動車などです。
使用先によって、許容電流や電圧、動作時の生成熱、サイズなどを考慮することが必要です。高精度に動作する必要がある製品が使用先である場合には、スイッチングの速度なども考慮して、回路を流れる電流のスイッチングや電流の増幅を行います。
パワートランジスタの動作原理は、バイポーラトランジスタ、MOSFET、IGBTなど、種類によって異なります。
バイポーラトランジスタとは、N型半導体とP型半導体を3層で接合している構造のトランジスタです。バイポーラトランジスタを構成している半導体からは、それぞれの半導体から端子が出ており、「ベース」「エミッタ」「コレクタ」と言います。
エミッタとコレクタに電圧を印加した状態で、ベースに電流が流れると、エミッタとコレクタ間に大きな電流が流れます。
MOSFETとは、バイポーラトランジスタと同じような構造を持つトランジスタです。端子の名前は「ソース」「ドレイン」「ゲート」と言います。
ゲートに電圧を印加すると、ソースとドレイン間に電流が流れます。高速でのスイッチングが可能なため、素早い制御が必要な製品に使用されるトランジスタです。
IGBTとは、上記2つのトランジスタと同様の構造を持つトランジスタです。端子は、「ゲート」「エミッタ」「コレクタ」と言います。
エミッタとコレクタをバイポーラトランジスタから、ゲートをMOSFETから採用して組み合わせた構造です。上記2つのトランジスタの良い点を併せ持った、適用範囲が広いタイプのトランジスタです。
パワートランジスタの種類には大きく分けて、「バイポーラトランジスタ」と「電解効果トランジスタ」があります。なお、単にトランジスタと言えば、一般にバイポーラトランジスタのことです。
バイポーラトランジスタは電流制御素子です。半導体の重ね方によってNPN形とPNP形があります。一般的に端子は3本で、出力される電流の経路が2本 (入力と出力) と、出力電流を制御する入力が1本です。
一般的にエミッタ接地回路が使われ、ベース (B) に入力信号、コレクター (C) に+電源、エミッター (E) を接地します。バイポーラトランジスタの直流電流増幅率はβまたはhFEで表され、数十～200程度です。また、βを稼ぐためにダーリントン構造のパワートランジスタも用意されています (こちらはβが数百～数千程度) 。
一方の電界効果トランジスタは電圧制御素子です。NチャンネルまたはPチャンネルの構造になっています。
一般的に端子は3本で、出力される電圧の経路が2本 (入力と出力) と、出力電圧を制御する入力が1本です。一般的にソース接地回路が使われ、ゲート (G) に入力信号、ドレイン (D) に+電源、ソース (S) は接地します。
電解効果トランジスタの直流電圧増幅率は、相互コンダクタンス (gm) で表されます。スイッチング特性では、パワートランジスタよりも優れており、スイッチング電源などに多用されるスイッチング素子です。
出力部・電源部に使われることが多いトランジスタが故障してしまうと、回路の出力が無くなるか、不安定になることがあります。そのため、トランジスタが故障していないかどうかを調べることが大切です。
1. NPNトランジスタ
NPNトランジスタの場合 (2SCまたは2SD) は、以下を確認します。
これら3つすべてが成立すれば、トランジスタは大丈夫です。
2. PNPトランジスタ
PNPトランジスタの場合 (2SAまたは2SB) は逆向きになり、以下を確認します。
これら3つすべてが成立すれば、トランジスタは大丈夫です。尚、この試験はダーリントントランジスタには使えません。
テスターを導通レンジで使用する場合、赤色側がマイナス、黒色側がプラスとなります。テスターリードの試験電圧の極性に注意してください。また、非試験体の電源、入力線、出力線などは必ず外してから検査してください。
参考文献
https://www.rohm.co.jp/electronics-basics/transistors/tr_what2
https://www.rohm.co.jp/products/power-transistors
https://article.murata.com/ja-jp/article/what-is-transistor
www.mech.tohoku-gakuin.ac.jp/rde/contents/course/mechatronicsB/archive/MechatroCS_No08.pdf
https://detail-infomation.com/transistor-type/
