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原子層堆積装置 ALDシリーズ-ALD
原子層堆積装置 ALDシリーズ-三弘エマテック株式会社

原子層堆積装置 ALDシリーズ
三弘エマテック株式会社

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ALD (Atomic Layer Deposition) とは原子層堆積法という単原子層を1サイクルで成膜する手法で、サイクルを操り返すことにより薄膜を形成します。原子層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能で、高品質かつ段差被覆性の高い薄膜を形成することが可能となります。複雑な形状の基板への成膜に最適です。ガスバリア性に優れた薄膜が得られます。

■対応膜種

SiO2 TiO2 Al2O3

■概要

・φ4インチ基板　25枚一括処理 ・基板回転機構 ・基板加熱：25～120℃

■特徴

・単原子層ずつ成膜するため、膜厚制御性に優れています。 ・高アスペクト比の基板に対しても付き回りよく成膜することが可能です。 ・基板温度を抑え成膜することが可能です。 ・基板面内分布に優れています。

■主な用途

・LED (色度調整、Ag硫化防止膜) ・電子デバイス (絶縁膜、バリアメタル) ・ガスバリア膜、水蒸気バリア膜 ・複雑な形状の基板への成膜

  • シリーズ

    原子層堆積装置 ALDシリーズ

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2024年9月9日にレビュー済み

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ALD

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会社概要

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