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シリーズ
イオンビーム関連装置 イオンビームエッチング装置 (IBE装置) Jシリーズ J440取扱企業
アールエムテック株式会社カテゴリ
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 対応基板 | 基板ステージ | ステージ冷却 | イオンソース | ビーム仕様 | グリッド | 真空排気系 | チャンバー | 制御系 | 寸法 | 重量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
J440 |
要見積もり |
最大φ4インチ |
自転、入射角度 (0~±90°) 可変 |
ドライチャック、空冷式チラー |
米国KRI社製 カウフマンイオンソース KDC40 |
ビーム電圧100－1,200V、電流最大100mA |
セルフアライメントTMMo製2枚4cmグリッド |
大気圧から10－4Pa台まで30分以内 |
SUS製φ410XL280mm、ビューポート付き |
7インチタッチパネル＆PLC制御 |
780mm (W) ×950mm (L) ×1,700mm (H) 以内 |
約500kg |
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エッチング装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#半導体製造 #ディスプレイ製造 #MEMS加工 #センサー製造 #光デバイス製造 #電子部品製造 #フォトマスク加工 #ウェーハ加工 #ナノ加工 #試作開発 #学術研究エッチング方式
ウェットエッチング型 ドライエッチング型 イオンビームエッチング型プラズマ生成方式
高周波プラズマ型 インダクティブプラズマ型 キャパシティブプラズマ型搬送方式
バッチ式 シングルウェハ式対象材料
シリコン対応型 化合物半導体対応型 金属膜対応型 絶縁膜対応型ウェハサイズ mm
50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 350プラズマソース
CCP型 ICP RF プラズマ マイクロ波圧力制御
APC制御 FAPC
