TSV Wafer
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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この製品について

革新的でパワフルなウエハー内部導通技術の開発により、ICやMEMSなどデザインによるパッケージ問題などを解決する手段となります。

内部導通ソリューションにより、デザインしやすくソルダーバンプコンタクトなどウエハーレベルでのパッケージが容易になりました。 事前に基板にプロセスを加え、基板内に導通部が形成されたものをお届けします。CMOSなどの基盤に最適です。 内部導通箇所はウエハーをエッチしてドープされたポリシリコンが埋め込みです。

ウエハーは表面のメタル汚染基準や平面性が保たれ、パーティクルも業界のスタンダードに見合うグレードです。1200℃の拡散工程にさらされても安定した基盤のパフォーマンスが確認されてます。

お客様のスペックに見合う内部導通のソリューションをパートナーとして開発し、お客様の回路やセンサー向けにお望みの内部導通パターンに仕上げます。 横や下にボンディングパッドがあしらわれますが、デザインはお客様の要求事項に見合うように最適化されカスタマイズいたします。

■アプリケーション ・MEMS/MST向けSOIソリューション
・マイクロ流体力学/フローセンサー 
・RF MEMS 
・光エレクトロニクス 
・スマートパワー
・高度なアナログICs 

■最終市場 ・テレコミニケーション 
・医療 
・自動車 
・一般消費者向け 
・楽器 

型番
この商品には2種類の型番があります

シリーズ
TSV Wafer

取扱企業
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

カテゴリ

半導体製造

シリコンウェハ

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TSV Wafer 品番2件

フィルター

	商品画像	品番	価格 (税抜)	ウエハー厚さ	最大の直径	最小ピッチ	ポリ抵抗率	隔離抵抗値	酸化膜厚
		TSV Wafer ウエハー直径 100mm	要見積もり	300-525μm	40μm (最小サイドにおいて)	90μm (ピア幅の3倍)	<5mΩ-cm	オキサイドライナーによる (デザインによる依存症)	0.2-2μm
		TSV Wafer ウエハー直径 150mm	要見積もり	300-525μm	40μm (最小サイドにおいて)	90μm (ピア幅の3倍)	<5mΩ-cm	オキサイドライナーによる (デザインによる依存症)	0.2-2μm