全てのカテゴリ
閲覧履歴
シリーズ
SiSi Waferカテゴリ
もっと見る
シリコンウェハの製品90点中、注目ランキング上位6点
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
返答時間が24時間以内の企業の中での注目ランキング
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
返答率96%
96%以上の方が返答を受け取っています
商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ハンドル層 厚さ | ハンドル層厚さ 公差範囲 | ハンドル層 重ね 厚さ 範囲 | ハンドル層 ドーパント タイプ | ハンドル層 ドーピング | ハンドル層 抵抗率 | ハンドル層 シリコン成長方法 | ハンドル層 結晶方位 | ハンドル層 裏面処理 | デバイス層膜厚 | デバイス 厚さ 公差範囲 | デバイス層 ドーパントタイプ | デバイス層 ドーピング | デバイス層 抵抗率 | デバイス層 シリコン成長方法 | デバイス層 結晶方位 | デバイス層 埋め込み層のインプラ | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SiSi Wafer ウエハー直径 100mm |
要見積もり |
200-1,100μm |
±5μm |
280-1,150μm |
NまたはP |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる |
≥20μm |
±0.5μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
N type または P type |
||
SiSi Wafer ウエハー直径 125mm |
要見積もり |
200-1,100μm |
±5μm |
280-1,150μm |
NまたはP |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる |
≥20μm |
±0.5μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
N type または P type |
||
SiSi Wafer ウエハー直径 150mm |
要見積もり |
200-1,100μm |
±5μm |
280-1,150μm |
NまたはP |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる |
≥20μm |
±0.5μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
N type または P type |
||
SiSi Wafer ウエハー直径 200mm |
要見積もり |
200-1,100μm |
±5μm |
280-1,150μm |
NまたはP |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる |
≥20μm |
±0.8μm |
N or P |
N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron |
≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm |
CZ、MCZ or FZ |
100、111 or 110 |
N type または P type |