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SiSi Wafer-SiSi Wafer ウエハー直径 100mm
SiSi Wafer-アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社


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この製品について

従来の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスやPiNダイオード用に従来使用されていた材料の代替として用いることができ、費用対効果が高い材料です。直接ウエハーをボンディングする技術により、様々な単結晶シリコンを含むシリコン基板を作ることができます。 抵抗レンジは1mΩ-cmから10kΩ-cm、NタイプやPタイプの素材でオリエンテーション方向のアレンジ可能。高品質でリークやワープは小さく、低い欠陥密度となります。層の厚みのばらつき+/-0.5um以下。高濃度から低濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーションに応じて調整できます。

■アプリケーション

・高耐圧 PINダイオード ・RF 減衰器 ・光検出器 ・X線検出器 ・IR赤外線センサー ・高耐圧パワーデバイス ・エピ材からの置き換え

■主な特徴

・高い品質 ・低コスト ・低い欠陥密度 ・膜の均一性がよい ・マルチレイヤ― ・鋭い濃度遷移レベル ・10kΩ-cmまでの抵抗率 ・界面品質がよい– 高解像サム検査による

  • シリーズ

    SiSi Wafer

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SiSi Wafer 品番4件

フィルター
商品画像 品番 価格 (税抜) ハンドル層 厚さ ハンドル層厚さ 公差範囲 ハンドル層 重ね 厚さ 範囲 ハンドル層 ドーパント タイプ ハンドル層 ドーピング ハンドル層 抵抗率 ハンドル層 シリコン成長方法 ハンドル層 結晶方位 ハンドル層 裏面処理 デバイス層膜厚 デバイス層 ドーパントタイプ デバイス層 ドーピング デバイス層 抵抗率 デバイス層 シリコン成長方法 デバイス層 結晶方位 デバイス層 埋め込み層のインプラ
SiSi Wafer-品番-SiSi Wafer ウエハー直径 100mm

SiSi Wafer ウエハー直径 100mm

要見積もり

200-1,100μm

±5μm

280-1,150μm

NまたはP

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる

≥20μm

±0.5μm

N or P

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

N type または P type

SiSi Wafer-品番-SiSi Wafer ウエハー直径 125mm

SiSi Wafer ウエハー直径 125mm

要見積もり

200-1,100μm

±5μm

280-1,150μm

NまたはP

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる

≥20μm

±0.5μm

N or P

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

N type または P type

SiSi Wafer-品番-SiSi Wafer ウエハー直径 150mm

SiSi Wafer ウエハー直径 150mm

要見積もり

200-1,100μm

±5μm

280-1,150μm

NまたはP

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる

≥20μm

±0.5μm

N or P

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

N type または P type

SiSi Wafer-品番-SiSi Wafer ウエハー直径 200mm

SiSi Wafer ウエハー直径 200mm

要見積もり

200-1,100μm

±5μm

280-1,150μm

NまたはP

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

ラップ仕上げ、エッチングまたはポリッシュ磨きによる

≥20μm

±0.8μm

N or P

N type: Phos、 Red Phos、Sb&As P type: Boron

≤0.001 - ≥10,000 Ω -cm

CZ、MCZ or FZ

100、111 or 110

N type または P type

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【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハー】のメーカーです。MEMSや貼り付け技術で製造と開発をリードします!

当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術...

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