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CVD装置 / メッキ装置 Concept-ONE Concept-150/200-Concept-150
CVD装置 / メッキ装置 Concept-ONE Concept-150/200-株式会社インターテック販売

CVD装置 / メッキ装置 Concept-ONE Concept-150/200
株式会社インターテック販売

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この製品について

■装置概要

本装置は、4/5/6及び8インチ・ウェハーに対応しており、プラズマCVD法によってウェハーに酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を形成するものです。基本構成は、プロセス・モジュール及びRFジェネレータ・モジュール (高周波、低周波各1Set) 、バキュームポンプ・モジュールの3モジュールで構成されます。 プロセス・モジュールは、スルー・ザ・ウォールタイプで、省スペース設計となっています。また、バキュームポンプ・モジュールは、プロセス・モジュールから最大18m (4インチ管4つ以下のL字部分を含む) 離して設置することができます。 RFジェネレータ・モジュールは高周波 (13.56MHz) ジェネレータとして、AE社製RFG-3000を備えています。RFG-3000は水冷式で、最高3,000Wを出力します。RFジェネレータも、リモートACボックスより電気を供給され、プロセス・モジュールより制御されます。 また、低周波RFジェネレーター (90-450KHz) としては、AE社製 PDX-1400 を備えています。PDX-1400は、空冷式で、最高1,400Wを出力でき、本体内にマッチング回路を備えています。RFジェネレータは、リモートACボックスのリモートスイッチを DISABLE にすることにより、本装置より独立して運転することが出来ます。

  • シリーズ

    CVD装置 / メッキ装置 Concept-ONE Concept-150/200

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CVD装置 / メッキ装置 Concept-ONE Concept-150/200 品番1件

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プラズマ励起方式

容量結合型 誘導結合型 マイクロ波型 パルス電源型

反応場構成

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基板処理方式

枚葉式 バッチ式 インライン連続式 立体部品支持式

基板加熱温度 ℃

0 - 300 300 - 500 500 - 800 800 - 1,000 1,000 - 1,200

制御操作

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