SiC MOSFETリレー (1500Vから6600V)
Bright Toward Industrial Co., Ltd

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この製品について

■半導体ミニチュア固体状リレー当社のOpto-MOSFETリレーは、リレーの入力と出力が光学的に絶縁されており、高負荷電圧能力に焦点を当てた固体リレーです。DCおよびACの両方のアプリケーションに適用されます。当社のOpto-MOSFETリレーは、非接触設計による長寿命、超小型/軽量、低駆動電流、高絶縁性、優れた耐衝撃性、高速スイッチング、静音動作、優れた線形性能などの特徴を組み合わせています。MOSFETの材料としてシリコンカーバイドを採用し、負荷電圧能力をさらに向上させ、負荷電圧を最大3,300Vまで増加させました。

変動する環境下でも強力に動作するために、ほとんどのOpto-MOSFETリレーはACE-Q101認証を取得しています。すべての製造プロセスは、Bright Towardの新竹工場の1kグレードのクリーンルームで行われ、ISO9001およびIATF16949の認証を取得しています。

■SiC MOSFETリレー (1500Vから6600V) シリコンカーバイドMOSFETを光結合リレーに適用することで、負荷電圧は最大3,300Vまで増加し、開発中では6,600Vにまで向上します。入出力の耐圧は3,750Vと5,000Vの選択肢があります。これらの高負荷電圧オプトSiC-MOSFETリレーは、Bright Towardの工場の1Kグレードのクリーンルームで製造され、AEC-Q101認証を取得しています。

■AA51の詳細このシリコンカーバイドICミニチュア固体リレーは、最大1,200Vの負荷電圧と470mAの負荷電流を提供し、オン抵抗は0.6Ωです。DIP6-5パッケージに1フォームA接点配置を特徴としています。この形式のパッケージでは、クリープ距離が改善され、より良い絶縁が実現されます。シリコンカーバイドをMOSFETの材料として使用することで、当社のIC固体状態リレーは高電圧に耐えることができ、温度変動の激しい厳しい環境で動作します。

■特長・オプト-SiC MOSFETリレー
・小型サイズ
・長寿命 (機械接点なし) 
・静音動作 (機械接点なし) 
・優れた線形性
・低駆動電流/電圧が必要
・ノイズ最小化
・高絶縁性

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
SiC MOSFETリレー (1500Vから6600V)

取扱企業
Bright Toward Industrial Co., Ltd

カテゴリ

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SiC MOSFETリレー (1500Vから6600V) 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	寸法	接点形式	I/Oブレークダウン電圧	負荷の種類	負荷電圧 (V)	負荷電流 (A)	パッケージタイプ	オン抵抗 (Ω)	アプリケーション
	AA51	要見積もり	8.8×6.4×3.4mm	1 Form A	・3,750 ・5,000	・AC ・DC	1,200	0.47	DIP-5	0.6	・バッテリー管理システム (BMS) ・絶縁検出モジュール・電気自動車・充電ステーション・高電圧保護機構・自動テスト装置 (ATE)