モニター/ダミーSiウェハ | XCSW製化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ
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面方位

<100>±2°

4インチ : (100) or (111)
6~12インチ : -100

全型番で同じ値の指標

ウェハサイズ

150±0.5mm

厚さ

675±25um

結晶育成法

(1-100) CZ

ドーパント

リン (P)

転位密度

<5,000/cm²

抵抗値

4~7ohm.cm

ラジアル比抵抗変化量

15%

平行度

BOW (max) : 60um TIR (max) : 6um TAPER (max) : 12um WARP (max) : 60um

プライマリフラット

長さ：57.5±2.5mm 面方位： (110) ±2°SEMI準拠セカンダリフラット：SEMI準拠

前面

鏡面研磨

パーティクル (max)

≧0.3um,30

スクラッチ、チップ、ピールなど

無し

裏面

エッチド

インチ

4~12

研磨面

4~8インチ : 片面 12インチ : 両面

基板厚

250~775um

比抵抗

0~100

粒子

4~8インチ :0.2um ≦30個 12インチ : 0.09um ≦100個

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この製品について

■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

■テスト用ダミー・モニター・プライムウェハSi基板・ダミーウェハ (再生ウェハ) 
主に実験や試験に使用されるものです。製造工程の初期段階の安全性を向上及び確認向けです。プライムウェハとダミーウェハ合わせてテストウェハと称されます。

・モニターウェハ
製造工程毎に調整のときに使われるウェハです。基板の厚さに対するデバイスの許容誤差の測定、本番前のSiウェハの代用として、監視目的として使われます。

型番
モニター/ダミーSiウェハ

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハ

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

カテゴリ

半導体製造

シリコンウェハ

企業レビュー 5.0

Metoree経由で見積もり

2024年12月5日にレビュー済み

顧客対応への満足度

今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

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無料
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XCSW製化合物・半導体結晶 Si結晶基板・シリコンウェハモニター/ダミーSiウェハの性能表

商品画像	価格 (税抜)	面方位	インチ	研磨面	基板厚	比抵抗	粒子
	要見積もり	4インチ : (100) or (111) 6~12インチ : -100	4~12	4~8インチ : 片面 12インチ : 両面	250~775um	0~100	4~8インチ :0.2um ≦30個 12インチ : 0.09um ≦100個