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返答率
100.0%
返答時間
10.3時間
ルツボサイズ
Φ250×H190 (t2)
対応ウエハサイズ
8インチ
最高加熱温度 (制御用熱電対値)
700℃
温度安定性 (制御用熱電対値)
±1℃
基板カゴ上下機構
自動
基板カゴ回転機構
モータ駆動 (Max.10rpm)
ルツボ蓋用シャッター機構
手動 (ルツボの蓋を機械的に開閉)
液温測定用熱電対上下機構
手動 (機械位置から液温測定位置まで移動)
電力
単相200V 30A
排気ダクト径
Φ100※筐体内排気用排気設備をご準備下さい
装置サイズ (筐体)
W1000×D930×H2,200
装置重量
350kg
型番
ETC-8001Fシリーズ
KOHエッチング装置 ETC-8001F取扱企業
株式会社エピクエストカテゴリ
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電話番号不要
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | ルツボサイズ | 対応ウエハサイズ | 最高加熱温度 (制御用熱電対値) | 温度安定性 (制御用熱電対値) | 基板カゴ上下機構 | 基板カゴ回転機構 | ルツボ蓋用シャッター機構 | 液温測定用熱電対上下機構 | 電力 | 排気ダクト径 | 装置サイズ (筐体) | 装置重量 | オプション |
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要見積もり | Φ250×H190 (t2) | 8インチ | 700℃ | ±1℃ | 自動 | モータ駆動 (Max.10rpm) | 手動 (ルツボの蓋を機械的に開閉) | 手動 (機械位置から液温測定位置まで移動) | 単相200V 30A | Φ100※筐体内排気用排気設備をご準備下さい | W1000×D930×H2,200 | 350kg |
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使用用途
#半導体製造 #ディスプレイ製造 #MEMS加工 #センサー製造 #光デバイス製造 #電子部品製造 #フォトマスク加工 #ウェーハ加工 #ナノ加工 #試作開発 #学術研究エッチング方式
ウェットエッチング型 ドライエッチング型 イオンビームエッチング型プラズマ生成方式
高周波プラズマ型 インダクティブプラズマ型 キャパシティブプラズマ型搬送方式
バッチ式 シングルウェハ式対象材料
シリコン対応型 化合物半導体対応型 金属膜対応型 絶縁膜対応型ウェハサイズ mm
50 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 350プラズマソース
CCP型 ICP RF プラズマ マイクロ波圧力制御
APC制御 FAPC
