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株式会社真空デバイス
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ターゲットの背面に強力な磁石を用いてカソード表面層でのイオン化を促進し、磁界によりイオンをターゲットに衝突させて金属分子を放出させる原理を応用した...
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ターゲットの背面に強力な磁石を用いてカソード表面層でのイオン化を促進し、磁界によりイオンをターゲットに衝突させて金属分子を放出させる原理を応用した...
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ターゲットの背面に強力な磁石を用いてカソード表面層でのイオン化を促進し、磁界によりイオンをターゲットに衝突させて金属分子を放出させる原理を応用した...
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