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シリコンインゴット・ウェハー-シリコンインゴット・ウェハー
シリコンインゴット・ウェハー-株式会社新陽

シリコンインゴット・ウェハー
株式会社新陽



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この製品について

半導体材料の代名詞としてのシリコン。シリコン (Si,silicon、ケイ素) は、資源が豊富。 (地球上で酸素の次に多く存在する元素) 高純度化し易く硬くて丈夫。安定した酸化膜が形成出来、高集積化し易い。結晶を大型化し易い。等の理由で、半導体材料として幅広い分野で使用されています。 1998年の創業当初より、中国製のSi (シリコン) に着目し、2003年には、国内大手パワーデバイスメーカーに、中国製シリコン素材としては、国内初の量産プライム材料としての正式認定を得ました。Φ2インチ~Φ6インチまでのパワーデバイス用プライムウェハーの製造を中心に、構造用部品材料としてΦ450mmまでの単結晶大口径シリコンインゴット・プレートの供給と加工も行っております。

  • シリーズ

    シリコンインゴット・ウェハー

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シリコンインゴット・ウェハー 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 化学組成 結晶製法 結晶構造 劈開面 比重 モース硬度 ヌープ硬度 ビッカース硬度 曲げ強度 圧縮強度 耐圧強度 ヤング率 ポアッソン比 融点 熱膨張係数 熱伝導率 比熱 最高使用温度 反射損失 (2面について) 透過波長域 (μ) 体積固有抵抗
シリコンインゴット・ウェハー-品番-シリコンインゴット・ウェハー

シリコンインゴット・ウェハー

要見積もり

Si

CZ

等軸晶系ダイヤモンド型

111

金属光沢

2.329 (25℃)

7

1,150kg/mm2

1,040Kgf/mm2

~300MPa (25℃)

20,800kg/cm2

5,000~7,000kg/cm2

190GPa

0.27

1,420℃

4.15×10-6/℃ (10~50℃)

0.39cal/cm sec℃ (40℃)

0.168cal/g℃ (25℃)

1,300℃

46.1% (10μ)

1.2~15.0

2.4×10^4Ω・cm (25℃)

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シリコンウェハをフィルターから探すことができます

直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1200 1200 - 2000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1000 1000 - 10000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社新陽は、シリコンやゲルマニウムなどの素材を販売する商社です。 半導体材料として用いられるシリコン、スマートフォンのカバーガラスに用いられるサファイア、レアメタル溶解用の耐熱容器として活用されるタングステンなどの...

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