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株式会社マイクロセミコンダクターリサーチの対応状況

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この製品について

■概要

活性層厚さ1μmを研削・研磨法にて仕上げます。機械加工による1μm近辺の活性層仕上げは非常に難易度が高く歩留まりも低いのですが安定した製造技術により達成しております。 インプランテーションしスマートカット法で仕上げエピタキシャル成長で1μm仕上げする方法もありますがこの方法はコストが非常に高くなってしまいます。弊社では研削・研磨法により達成しておりますので低価格での提供が可能となりました。なお、0.9μmまでの実績があります。

  • シリーズ

    活性層1μmSOIウェーハ

企業レビュー

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評判がとても良い

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2025年4月17日にレビュー

細かい点まで気を配ってご対応いただき、感謝しております。

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活性層1μmSOIウェーハ 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) SOIウェーハ加工対応サイズ

活性層1μmSOIウェーハ

要見積もり

3インチ、100mm、125mm、150mm、200mm
注) 3インチおよび125mmウェーハは大口径よりレーザーカットにて対応。

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使用用途

#半導体製造 #太陽電池 #MEMS製造 #センサ開発 #電子部品試作 #パワーデバイス #研究開発 #フォトニクス #車載機器開発 #医療機器開発

素材の種類

モノクリスタルシリコン ポリシリコン

サイズ

4インチウェハ 6インチウェハ 8インチウェハ

プロセス

化学機械研磨 エピタキシャル成長

直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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この商品の取り扱い会社情報

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  • 本社所在地: 東京都
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