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3D NANDフラッシュメモリー用のテストパターンウェーハ
株式会社マイクロセミコンダクターリサーチ



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この製品について

■概要

半導体分野の先端技術である3D NAND Flashメモリーのテストパターンウェーハを開発しております。300mmシリコンウェーハ上にSiO2膜とSiN膜を交互に積み重ね64対 (128層) の積層成膜加工をし、さらにその上に酸化膜とエッチング用ハードマスクACL (アモルファスカーボン) 膜を成膜しSiON膜を介してレジストを塗布してパターンニングしたテストウェーハです。

  • シリーズ

    3D NANDフラッシュメモリー用のテストパターンウェーハ

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3D NANDフラッシュメモリー用のテストパターンウェーハ 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜)

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直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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