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スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1) -ICE10N60
スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1) -アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)
アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

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この製品について

2011年よりリリースされた高いアバランシェ耐量をもつGEN1シリーズ。汎用品、工業、医療用などの電源に最適です。 1960年代からシリコンは半導体デバイスの主材料として、たくさんの研究者たちがシリコンの特性限界について調査してきました。事実、シリコンの限界を超える様々なイノベーションが開発されて、他にも様々な種類の半導体材料が生み出されてきました。 しかしながら、シリコンがいまだ半導体技術の主素材である理由はなんでしょうか。製造のしやすさ、高い信頼性、低価格、そして継続的なイノベーションがあることに他なりません。パワー半導体においても、原理的にブレークダウン電圧は主にシリコン素材のキャリアの濃度で決まり、オン抵抗にも直接関連します。パワー半導体のデバイス特性限界は理論的に予測され、”シリコンリミット”と呼ばれています。 しかしながらそのシリコンリミットを破るのがスーパージャンクション理論であり、高耐圧と低いオン抵抗を可能にしました。 アイスモス・テクノロジーのMEMS MOSFETはスーパージャンクション構造を持つ高耐圧MOSFETです。シリコンのMOSFETとMEMSプロセスを融合させた技術でアイスモス・テクノロジーは世界中にベストインクラスの特性のデバイスをお届けいたします。 弊社のMEMS技術はMOSFETが歩んできた微細化技術とは別に、ユニークな製造プロセスとして開発されました。この二つのテクノロジーの融合によりMOSFETのパフォーマンスを高めることができました。

■スーパージャンクションMOSFETの特長

・低いオン抵抗 ・超低ゲート電荷量 ・耐高dv/dt特性 ・高耐アバランシェ特性 ・耐高ピーク電流特性 ・増相互コンダクタンス特性

■アプリケーション

・産業用電源、充電器 ・IT ハードウエア : データセンター、サーバー、クラウド、ラップトップコンピュータ、タブレット機器 ・屋内外の電灯 : HID 電灯 、 LED電灯 ・LED TV ドライバーや動力電源 ・ソーラーインバーター等の再生エネルギー分野 ・電気自動車、ハイブリッド自動車、EV急速充電器 ※ほかにも型番がございます

  • シリーズ

    スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1)

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スーパージャンクションMOSFET Gen1 (Superjunction MOSFET Gen1) 品番10件

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使用用途

#車載機器 #充電器 #インバータ #太陽光発電 #産業機器 #電源装置 #医療機器 #航空宇宙関連機器 #家電機器 #データセンタ

耐圧 V

100 - 300 300 - 600 600 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700

電流 A

1 - 100 100 - 200 200 - 500 500 - 800

オン抵抗 mΩ

0 - 50 50 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 16,000

ゲート電荷 nC

30 - 70 70 - 100 100 - 130 130 - 140

入力容量 pF

1,000 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 7,000

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