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GaN基板 (正方形)
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当社はGaN（窒化ガリウム）基板、GaNテンプレート、Power用エピウェーハ、RGB Micro LED Epiウェーハ、Hybrid Integrated RGB Micro LEDチップなど、最先端のGaN技術を活用したソリューションを提供いたします。

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    GaN基板 (正方形)

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GaN基板 (正方形) 品番1件

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商品画像 品番 価格 (税抜) サイズ 厚さ 面方位 導電型タイプ 転位密度 有効面積
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GaN基板 (正方形)

要見積もり

(10 ± 0.5) × (15 ± 0.5) mm2
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400 ± 25 µm

C-plane (0001) off-angle toward M-axis
0.35 ± 0.15° or 0.55 ± 0.15°

・N-type (Un-doped)
・N-type (Silicon-doped)
・Semi-Insulating (Carbon-doped)

<1 × 10^6 cm-2

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入力電圧 VAC

90 - 100 100 - 240 240 - 270

出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

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