GaN-FS-C-N-C50 | GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate
株式会社豊港
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1次オリフラ方位。長さ
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ウェーハ厚
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方位面
有効面積
梱包方法
直径
表面仕上げ
転移欠陥密度
電気抵抗率 (300K)
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型番
GaN-FS-C-N-C50
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取扱企業
株式会社豊港
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GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate GaN-FS-C-N-C50の性能表
| 商品画像 | 価格 (税抜) | 1次オリフラ方位。長さ | 2次オリフラ方位。長さ | ウェーハ厚 | 反りBOW | 導電タイプ | 平坦度TTV | 方位面 | 有効面積 | 梱包方法 | 直径 | 表面仕上げ | 転移欠陥密度 | 電気抵抗率 (300K) |
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要見積もり |
オリフラ方位 (1-100) ±0.5° オリフラ長さ 16 ± 1mm |
オリフラ方位 (11-20) ±3° オリフラ長さ 8 ± 1mm |
350 ± 25 um | 20um以下 | N型 (Undoped) | 15um以下 | C面 (0001) 面 ± 1° | 90%以上 |
クリーンルーム内にて窒素封入 1枚ごと梱包、又は25枚カセット |
φ50.8mm ± 0.1mm |
Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面：ファイングラウンド (非鏡面) |
5×105個/cm2以下 | ＜ 0.5Ω・cm |
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のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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