GaNウェーハ AlNテンプレート (φ2インチ) 株式会社豊港


この製品について

パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザ用に使用されます。

■特徴

・少数枚から販売 ・パワーLSI、高輝度LED、レーザー用として注目 ・高品質 (少ない結晶欠陥) ・低価格 (対他社比較)

  • シリーズ

    GaNウェーハ AlNテンプレート (φ2インチ)



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GaNウェーハ AlNテンプレート (φ2インチ) 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 直径 GaN膜厚 方位面 導電タイプ オリフラ方位。長さ 基板構造 有効面積 表面仕上げ 結晶半値幅 (微少欠陥数程度) 梱包方法

AlN-T-C-S-C50

要見積もり φ50.8mm ±0.1mm 標準仕様:4um
オプション:10nm~5,000nm (5um)
C面 (0001) 面 ±1° 半絶縁性 オリフラ方位 (1-100)
オリフラ長さ16 ±1mm
AlN / サファイアウェーハ (またはSiCウェーハ、GaNウェーハ) 80%以上 Al面:CMP仕上げ
N面:標準仕様はファイングランディング仕上げ (オプション:光学鏡面仕上げ)
XRD半値幅 (0002) 面:< 500 arcsec.
XRD半値幅 (10-12) 面:< 1,500 arcsec.
クリーンルーム内にて窒素封入
1枚ごと梱包、又は25枚カセット

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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