GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate-GaN-FS-C-N-C50
GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate-株式会社豊港

GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate 株式会社豊港


この製品について

パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザ用に使用されます。

■特徴

・少数枚から販売 ・パワーLSI、高輝度LED、レーザー用として注目 ・高品質 (少ない結晶欠陥) ・低価格 (対他社比較)

  • シリーズ

    GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate



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GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate 品番2件

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まとめて問合せ・見積 商品画像 品番 価格 (税抜) 直径 ウェーハ厚 方位面 導電タイプ 1次オリフラ方位。長さ 2次オリフラ方位。長さ 平坦度TTV 反りBOW 電気抵抗率 (300K) 転移欠陥密度 有効面積 表面仕上げ 梱包方法
GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate-品番-GaN-FS-C-N-C50

GaN-FS-C-N-C50

要見積もり φ50.8mm ± 0.1mm 350 ± 25 um C面 (0001) 面 ± 1° N型 (Undoped) オリフラ方位 (1-100) ±0.5°
オリフラ長さ 16 ± 1mm
オリフラ方位 (11-20) ±3°
オリフラ長さ 8 ± 1mm
15um以下 20um以下 < 0.5Ω・cm 5×105個/cm2以下 90%以上 Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド (非鏡面)
クリーンルーム内にて窒素封入
1枚ごと梱包、又は25枚カセット
GaNウェーハ (φ2インチ) Free-Standing GaN Substrate-品番-GaN-FS-C-SI-C50

GaN-FS-C-SI-C50

要見積もり φ50.8mm ± 0.1mm 350 ± 25 um C面 (0001) 面 ± 1° 半-絶縁性 オリフラ方位 (1-100) ±0.5°
オリフラ長さ 16 ± 1mm
オリフラ方位 (11-20) ±3°
オリフラ長さ 8 ± 1mm
15um以下 20um以下 >106Ω・cm 5×105個/cm2以下 90%以上 Ga面:CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面:ファイングラウンド (非鏡面)
クリーンルーム内にて窒素封入
1枚ごと梱包、又は25枚カセット

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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