窒化物系エピ基板 GaN on Si HEMT
DOWAエレクトロニクス株式会社
この製品について
次世代パワー半導体や高周波デバイスに用いられるワイドバンドギャップ材料である窒化ガリウム (GaN) 。当社の窒化ガリウムエピ基板は独自のバッファー層により高耐圧と良好な平坦性の両立をSi基板上に実現しました (GaN on Si HEMTエピ基板) 。
p-GaN cap層、AlGaN DH構造の開発にも取り組んでおり、ノーマリオフHEMTエピ基板の実現を目指しています。炭化ケイ素 (SiC) やサファイア上のGaNエピ基板、高品質LED用AlNテンプレート (サファイア基板上) にも対応いたします。
■用途
・パワー半導体用途：インバータ、AC-DCコンバータ ・高周波デバイス用途：携帯電話基地局向け■製品特徴
・高耐圧 (1000V) ＆低リーク電流 (1E-6A) ・クラックフリー ・良好な反り (Bow<50μm) ・ウェハサイズ (3、4、6インチ) ・厚膜対応可能 (4.8μm) ・p-GaN cap層、AlGaN DH構造■注記
・推奨用途：パワースイッチングデバイス ・記載値、特性はtypical値です。 ・ご要望に応じて構造、特性を調整いたします。 ・p-GaN cap層、AlGaNバッファー構造も対応可能です。-
シリーズ
窒化物系エピ基板 GaN on Si HEMT
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取扱企業
DOWAエレクトロニクス株式会社
窒化物系エピ基板 GaN on Si HEMT 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) |
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GaN on Si HEMT エピ基板 |
要見積もり |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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