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無機粉末材料 リン材料 リン化ガリウム (GaP) パウダー-リン化ガリウム (GaP) パウダー
無機粉末材料 リン材料 リン化ガリウム (GaP) パウダー-XI'AN FUNCTION MATERIAL GROUP CO.,LTD

無機粉末材料 リン材料 リン化ガリウム (GaP) パウダー
XI'AN FUNCTION MATERIAL GROUP CO.,LTD



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この製品について

■特性

ガリウムのリン化ガリウム (ギャップ) は、室温で2.24eVの間接バンドギャップを有する化合物半導体材料である。不純な多結晶材料は、淡いオレンジまたは灰色がかった部分の外観を有する。アンドープの単結晶はオレンジ色であるが、強いドープされたウェハは自由キャリアの吸収のために暗く見える。水に無臭で不溶性です。

■応用

硫黄またはテルルは、N型半導体を製造するためのドーパントとして使用されます。 p型半導体用ドーパントとして亜鉛を用いる。

  • シリーズ

    無機粉末材料 リン材料 リン化ガリウム (GaP) パウダー

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無機粉末材料 リン材料 リン化ガリウム (GaP) パウダー 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) CAS 分子式 純度 仕様 EINECS No. モル質量 外観 臭い 密度 融点 水への溶解度 バンドギャップ 電子移動度 磁化率 (χ) 熱伝導率 屈折率 (ND) クリスタル構造
無機粉末材料 リン材料 リン化ガリウム (GaP) パウダー-品番-リン化ガリウム (GaP) パウダー

リン化ガリウム (GaP) パウダー

要見積もり

12063-98-8

GaP

100.00%

- 100メッシュ

235-057-2

100.697 g / mol

淡いオレンジ色の固体

無臭

4.138 g / cm^3

1,457℃ (2,655°F; 1,730 K)

不溶性

2.24 EV (間接、300 K)

300 cm 2 / (V・s) (300 K)

-13.8×10^2CGS

0.752W / (CM・K) (300 K)

2.964 (10μm) 、3.209 (775nm) 、3.590 (500nm) 、5.05 (354nm)

亜鉛ブレンデ

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使用用途

#ウエハ製造 #フォトリソグラフィー #エッチング #薄膜形成 #ドーピング #CMP研磨 #半導体製造 #精密機器製造

物質種類

シリコン ゲルマニウム 化合物半導体

形状

ウエハ シングルクリスタル ポリクリスタル

ドーピング種

n型半導体 p型半導体

特殊特性

高耐圧半導体 高周波半導体

厚さ μm

150 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 1,200 1,200 - 1,400

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