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GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面＆M面)-GaN-FS-A-N-S
GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面＆M面)-株式会社豊港

GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面＆M面)
株式会社豊港

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当社はGaN（窒化ガリウム）基板、GaNテンプレート、Power用エピウェーハ、RGB Micro LED Epiウェーハ、Hybrid Integrated RGB Micro LEDチップなど、最先端のGaN技術を活用したソリューションを提供いたします。

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    GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面＆M面)

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GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面＆M面) 品番2件

フィルター

次の条件に該当する商品を2件表示しています

商品画像 品番 価格 (税抜) サイズ 基板厚 方位面
1次オリフラ方位。長さ 平坦度TTV 反りBOW
転移欠陥密度 有効面積 表面仕上げ 梱包方法
GaNウェーハ 非極性GaN角基板 (A面＆M面)-品番-GaN-FS-A-N-S

GaN-FS-A-N-S

要見積もり

5mm×10mm、±0.2mm
5mm×20mm、±0.2mm

350 ±25um

A面 (1,120) 面 ±1°
M面 (1-100) 面 ±1°

N型 (Undoped)

オリフラ方位 (1-100) ± 0.5°
オリフラ長さ16 ± 1mm

15um以下

20um以下

＜0.5Ω・cm

5×105個/cm2以下

90%以上

Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
N面：ファイングラウンド (非鏡面)

クリーンルーム内にて窒素封入
1枚ごと梱包、又は25枚カセット

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5mm×20mm、±0.2mm

350 ±25um

A面 (1,120) 面 ±1°
M面 (1-100) 面 ±1°

半-絶縁性

オリフラ方位 (1-100) ± 0.5°
オリフラ長さ16 ± 1mm

15um以下

20um以下

＞106Ω・cm

5×105個/cm2以下

90%以上

Ga面：CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。
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入力電圧 VAC

90 - 100 100 - 240 240 - 270

出力電圧 V

3 - 5 5 - 20 20 - 30

最大出力 W

10 - 50 50 - 70 70 - 110

出力電流 A

1 - 3 3 - 5 5 - 10

MTBF 時間

0 - 50,000 50,000 - 100,000 100,000 - 300,000

動作温度 ℃

-30 - 0 0 - 20 20 - 30 30 - 40

外観寸法 mm

0 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 80 80 - 110

ポート数

1 2 4

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