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サーマルCVD装置 CT-6000-CT-6000
サーマルCVD装置 CT-6000-株式会社サンバック

サーマルCVD装置 CT-6000
株式会社サンバック

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この製品について

炭化ケイ素 (SiC) に代表される超高温材料は、その生成温度と濃度によって様々な結晶構造をとります。サーマルCVD装置CT-6000はこれらの未来材料の研究をするために、制御圧力範囲を6.65~101kPa、制御温度範囲を800~2,000℃と幅広く条件を取れるようになっています。

  • シリーズ

    サーマルCVD装置 CT-6000

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サーマルCVD装置 CT-6000 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 膜種 炉体サイズ 炉体材質 基板形状 到達圧力 排気速度 加熱温度 圧力コントロール ガス種 真空排気系 真空計 ユーティリティ 電気 ユーティリティ 冷却水 ユーティリティ 計装エアー
サーマルCVD装置 CT-6000-品番-CT-6000

CT-6000

要見積もり

SiC/C

φ168mm×210mm

カーボン

自在

×10-2Pa台※常温・無負荷・脱ガス時

×10-1Pa台迄5分以内※常温・無負荷・脱ガス時

2,000℃

自動

SiCl4/C3H8/H2/N2

油回転ポンプ:1,200L/min
メカニカルブースターポンプ:300m3/h

ピラニ真空計/バラトロン真空計

AC200V三相60kVA

60L/min以上0.1MPa以上0.15MPa以下25℃以下循環

0.5MPa以上

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CVD装置をフィルターから探すことができます

使用用途

#半導体製造 #太陽電池製造 #MEMS製造 #ナノ材料生成 #ダイヤモンド生成 #絶縁膜形成 #保護膜形成 #透明導電膜形成 #カーボンナノチューブ #高硬度薄膜 #センサー #電子デバイス

成膜方式

熱CVD APCVD PECVD MOCVD HWCVD

反応器構造

縦型バッチ 横型バッチ シングルウェハ シャワーヘッド型 回転円盤型

加熱方式

ホットウォール コールドウォール ランプ加熱 誘導加熱 マイクロ波加熱 抵抗加熱

原料供給方式

直接ガス供給 液体気化供給 固体昇華供給 バブリング供給

成膜温度 ℃

100 - 300 300 - 500 500 - 1,200

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この商品の取り扱い会社情報

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会社概要

株式会社サンバックは真空装置のメーカーです。...

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  • 本社所在地: 東京都
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