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3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam取扱企業
カールツァイス株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | FIB | チャンバーサイズとポート | ステージ | 帯電制御 | ガス | 解像度 | 分析オプション | 利点 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 検出限界 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 横方向の分解能 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量電荷比 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量分解能 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 深さ方向の分解能 | フェムト秒レーザー 種別 | フェムト秒レーザー 波長 (λ) | フェムト秒レーザー 光学系 | フェムト秒レーザー パルス持続時間 | フェムト秒レーザー スポットサイズ | フェムト秒レーザー 走査範囲サイズ | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Crossbeam 350 |
要見積もり |
液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA (オプション) |
標準 (18基のポート) |
X/Y=100mm/Z=50mm,Z'=13mm/T=–4°~70°,R=360° |
フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置) /圧力可変 |
Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2 |
32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで) |
EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他 |
圧力可変モードにより多様な試料に対応、広範囲のin situ実験が可能 |
シリコン内のホウ素<4.2ppm |
<35nm |
1~500Th |
m/Δm>500FWTM |
<20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム |
DPSS |
515nm (緑) |
テレセントリック |
<350fs |
<15µm |
40x40mm² |
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Crossbeam 550 |
要見積もり |
液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30 kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA |
標準 (18基のポート) /ラージサイズ (22 基のポート) |
X/Y=100mm/X/Y=153mm/Z=50mm,Z‘=13mm/Z=50mm,Z‘=20mm/T=–4°~70°,R=360°/T=–15°~70°,R=360° |
フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置) |
Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2 |
32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで) |
EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他 |
ハイスループットな分析とイメージング、あらゆる条件での高分解能イメージング |
シリコン内のホウ素<4.2ppm |
<35nm |
1~500Th |
m/Δm>500FWTM |
<20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム |
DPSS |
515nm (緑) |
テレセントリック |
<350fs |
<15µm |
40x40mm² |
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Crossbeam laser |
要見積もり | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
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相関クライオ顕微鏡ワークフロー |
要見積もり | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
