3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam カールツァイス株式会社
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返答率
100.0%
この製品について
■概要
イメージングと分析性能を兼ね備えた高分解能電界放出型走査電子顕微鏡 (FE-SEM) に、次世代集束イオンビーム (FIB) の処理能力を統合。複数のユーザーがいる施設や、学術・産業研究所での研究開発に適しています。Crossbeamは、ミリング、イメージングや3D分析においてFIBアプリケーションをスピードアップします。 技術仕様■SEM：Crossbeam 350
ショットキー エミッター/1.7nm@1kV/1.5nm@1kV (Tandem Decel 使用) /1.9nm@200V (Tandem Decel 使用) /0.9nm@15kV/0.7nm@30kV (STEM モード) /2.3nm@1kV (WD5mm) /1.7nm@1kV (Tandem Decel使用、WD5 mm) /1.1nm@15kV (WD5mm) /2.3nm@20kV&10nA (WD5mm) /ビーム電流：5pA～100nA■SEM：Crossbeam 550
ショットキー エミッター/1.4nm@1kV/1.2nm@1kV (Tandem Decel 使用) /1.6nm@200V (Tandem Decel 使用) /0.7nm@15kV/0.6nm@30kV (STEM モード) /1.8nm@1kV (WD5mm) /1.3nm@1kV (Tandem Decel使用、WD5 mm) /0.9nm@15kV (WD5mm) /2.3nm@20kV&10nA (WD5mm) /ビーム電流：5pA～100nA■検出器：Crossbeam 350
Inlens SE、Inlens EsB、VPSE (圧力可変モード用2次電子検出器) 、SESI (2次電子／2次イオン) 、aSTEM (透過電子検出器) 、aBSD (反射電子検出器)■検出器：Crossbeam 550
Inlens SE、Inlens EsB、ETD (Everhard-Thornley2次電子検出) 、SESI (2次電子/2次イオン) 、aSTEM (透過電子検出器) 、aBSD (反射電子検出器) 、CL (カソードルミネッセンス検出器)-
シリーズ
3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam
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取扱企業
カールツァイス株式会社
3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam 品番4件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | FIB | チャンバーサイズとポート | ステージ | 帯電制御 | ガス | 解像度 | 分析オプション | 利点 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 検出限界 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 横方向の分解能 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量電荷比 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量分解能 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 深さ方向の分解能 | フェムト秒レーザー 種別 | フェムト秒レーザー 波長 (λ) | フェムト秒レーザー 光学系 | フェムト秒レーザー パルス持続時間 | フェムト秒レーザー スポットサイズ | フェムト秒レーザー 走査範囲サイズ |
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Crossbeam 350 |
要見積もり | 液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA (オプション) | 標準 (18基のポート) | X/Y=100mm/Z=50mm,Z'=13mm/T=–4°~70°,R=360° | フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置) /圧力可変 | Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2 | 32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで) | EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他 | 圧力可変モードにより多様な試料に対応、広範囲のin situ実験が可能 | シリコン内のホウ素<4.2ppm | <35nm | 1~500Th | m/Δm>500FWTM | <20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム | DPSS | 515nm (緑) | テレセントリック | <350fs | <15µm | 40x40mm² | |
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Crossbeam 550 |
要見積もり | 液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30 kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA | 標準 (18基のポート) /ラージサイズ (22 基のポート) | X/Y=100mm/X/Y=153mm/Z=50mm,Z‘=13mm/Z=50mm,Z‘=20mm/T=–4°~70°,R=360°/T=–15°~70°,R=360° | フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置) | Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2 | 32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで) | EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他 | ハイスループットな分析とイメージング、あらゆる条件での高分解能イメージング | シリコン内のホウ素<4.2ppm | <35nm | 1~500Th | m/Δm>500FWTM | <20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム | DPSS | 515nm (緑) | テレセントリック | <350fs | <15µm | 40x40mm² | |
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Crossbeam laser |
要見積もり | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
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相関クライオ顕微鏡ワークフロー |
要見積もり | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
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