Crossbeam 550 | 3D分析と試料作製を高いスループットで実現する FIB-SEM Crossbeam
カールツァイス株式会社

価格 (税抜)

返答率

100.0%

型番説明

きわめて困難な特性評価にも対応し、試料に合わせて標準または大型のチャンバーを選択できます。GEMINI 2電子光学系は、低加速電圧や大電流でも高い分解能を実現します。迅速な分析に必要とされる、高ビーム電流での高分解能イメージングに適しています。

各指標から他の型番を探すことができます。表示されている値は、現在選択されている型番の値です。

FIB

ガス

ステージ

チャンバーサイズとポート

フェムト秒レーザースポットサイズ

フェムト秒レーザーパルス持続時間

フェムト秒レーザー光学系

フェムト秒レーザー波長 (λ)

フェムト秒レーザー種別

フェムト秒レーザー走査範囲サイズ

分析オプション

利点

帯電制御

引き込み式 ToF-SIMS 分光器検出限界

引き込み式 ToF-SIMS 分光器横方向の分解能

引き込み式 ToF-SIMS 分光器深さ方向の分解能

引き込み式 ToF-SIMS 分光器質量分解能

引き込み式 ToF-SIMS 分光器質量電荷比

解像度

*サンプルリクエストには対応できない場合もありますのでご了承ください。

無料
見積もり費用は無料のため、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

商品画像	価格 (税抜)	FIB	ガス	ステージ	チャンバーサイズとポート	フェムト秒レーザースポットサイズ	フェムト秒レーザーパルス持続時間	フェムト秒レーザー光学系	フェムト秒レーザー波長 (λ)	フェムト秒レーザー種別	フェムト秒レーザー走査範囲サイズ	分析オプション	利点	帯電制御	引き込み式 ToF-SIMS 分光器検出限界	引き込み式 ToF-SIMS 分光器横方向の分解能	引き込み式 ToF-SIMS 分光器深さ方向の分解能	引き込み式 ToF-SIMS 分光器質量分解能	引き込み式 ToF-SIMS 分光器質量電荷比	解像度
	要見積もり	液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30 kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA	Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2	X/Y=100mm/X/Y=153mm/Z=50mm,Z‘=13mm/Z=50mm,Z‘=20mm/T=–4°~70°,R=360°/T=–15°~70°,R=360°	標準 (18基のポート) /ラージサイズ (22 基のポート)	<15µm	<350fs	テレセントリック	515nm (緑)	DPSS	40x40mm²	EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他	ハイスループットな分析とイメージング、あらゆる条件での高分解能イメージング	フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置)	シリコン内のホウ素<4.2ppm	<35nm	<20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム	m/Δm>500FWTM	1~500Th	32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで)