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シリーズ
パワーMOSFET Hi-potMOS2シリーズ P1B90VX3K取扱企業
新電元工業株式会社カテゴリ
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 極性 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) | ドレイン電流 (直流) ID (A) | 全損失 PT (W) | チャネル温度 Tch (℃) | ドレイン・ソース間オン抵抗 (typ.) (Ω) | 入力容量 Ciss (typ.) (pF) | ゲート全電荷量 Qg (typ,) (nC) | パッケージ (ハウスネーム) | パッケージ (JEITAコード) | シリーズ | 保存温度 Tstg (℃) | ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) | ソース電流 (直流) IS (A) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
P36F25HP2 |
要見積もり |
N-channel |
250 |
36 |
77 |
-55 to 150 |
記号：RDS (ON) |
1,313 |
35 |
FTO-220AG |
SC-91 |
Hi-potMOS2 |
-55 to 150 |
±30 |
36 |
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使用用途
#電源回路 #インバータ #モータ制御 #照明機器 #通信機器 #車載機器 #産業機器 #医療機器 #民生機器 #太陽光発電 #鉄道機器 #航空宇宙動作構造
バイポーラ型 MOS型 IGBT型極性構造
Nチャネル型 Pチャネル型パッケージ形状
スルーホール型 表面実装型半導体素材
シリコン型 シリコンカーバイド型 ガリウムナイトライド型電圧 V
-50 - 0 0 - 50 50 - 200 200 - 1,000 1,000 - 1,500電流 A
-50 - 0 0 - 20 20 - 80 80 - 160RDS ON mΩ
0 - 10 10 - 50 50 - 100 100 - 300VGS th V
-3 - -1 -1 - 1 1 - 3 3 - 7ID 最大値 A
-40 - 0 0 - 20 20 - 40 40 - 120Ciss pF
0 - 500 500 - 1,000 1,000 - 5,000 5,000 - 10,000TJ 最大値 °C
140 - 160 160 - 180構成
シングル 相補型
