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4H 半絶縁型SiCウェーハ-半絶縁型SiCウェーハ
4H 半絶縁型SiCウェーハ-SICC Co.,Ltd.

4H 半絶縁型SiCウェーハ
SICC Co.,Ltd.

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この製品について

○ 半絶縁型 SiCウェーハ 【半絶縁型12インチの発表を致しました (Semicon China 2025)】 ⚫︎Al/ARグラスの光学素材や放熱部材等、新しい用途のご開発を歓迎致します ⚫︎標準規格外の対応に、出来る限り検討させていただきます 【世界シェア２位　n型SiCウェーハ(2023/2024)】 【世界シェアトップ３　半絶縁型SiCウェーハ(2019～)】 【中国初　SiCウェーハをテーマとした株式上場】（証券コード・688234） 【業界初　300mm n型SiCウェーハ発表(2024)】 【p型SiCウェーハ　リリース(2024)】 【300mm全製品発表　n型／p型／半絶縁型(2025)】 【特許世界ランキングTOP５　SiC Substrate(2024)】 *調査会社様調べ

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    4H 半絶縁型SiCウェーハ

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4H 半絶縁型SiCウェーハ 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) ポリタイプ 直径 (mm) オフ角 (°) 厚み (μm) 表面
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半絶縁型SiCウェーハ

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5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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この商品の取り扱い会社情報

SICC Co.,Ltd.

会社概要

私たちSICC (山東天岳先進科技股份有限公司)は、
2010年に単結晶炭化ケイ素基板(SiCウェーハ)メーカーとして設立致しました。
原料から最終製品までの一貫生産技術、生産体制を保有しており、

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  • 本社所在地: 中華人民共和国

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