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シリーズ
ポリッシュドウェーハ (PW)取扱企業
株式会社カーリットカテゴリ
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 単結晶育成法 | 口径 | ドーパント | 結晶軸 | 抵抗率 | 酸素濃度 | 炭素濃度 | OSF |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ポリッシュドウェーハ (PW) |
要見積もり |
CZ法 |
4、5、6 inch |
B、P、Sb |
<100>、<111>、<110> |
ライトドープ 0.1 ~ 40.0 Ωcm ヘビードープ 0.001 ~ 0.1 Ωcm |
10 ~ 18×E17 atoms/cm3 (ASTM FM121-79) |
≤5×E16 atoms/cm3 |
≤50 pcs/cm2 |
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使用用途
#半導体製造 #太陽電池 #MEMS製造 #センサ開発 #電子部品試作 #パワーデバイス #研究開発 #フォトニクス #車載機器開発 #医療機器開発素材の種類
モノクリスタルシリコン ポリシリコンサイズ
4インチウェハ 6インチウェハ 8インチウェハプロセス
化学機械研磨 エピタキシャル成長直径 mm
5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400厚さ um
0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000抵抗率 Ω・cm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000結晶方位 度
100 - 101 101 - 112 112 - 211導電型
N/P N P成長方法
CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZパーティクルサイズ μm
0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110
