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XCSW製 化合物・半導体結晶 FZ法シリコンウェハ取扱企業
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商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 育成法 | 導電型 | 面方位 | φ直径 (インチ) | 抵抗値 (Ω・cm) | 直径 | 厚さ | プライマリーフラット長さ | プライマリーフラット方位 | セカンダリーフラット長さ | セカンダリーフラット方位 | TTV | Bow | Warp | 表面仕上げ | LPD | 裏面 | チッピング | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ-Si |
要見積もり |
FZ |
N or P |
<100> or <111> |
3~8 |
>1,000 |
150±0.5mm |
675±15um |
57.5±2.5mm |
<001>±1° |
無し |
無し |
≦5um |
≦40um |
≦40um |
化学機械研磨 |
≧0.3um at ≦15pcs |
エッチド |
無し |
||
NTDFZ-Si |
要見積もり |
NTDFZ |
N |
<100> or <111> |
3~8 |
30~800 |
150±0.5mm |
675±15um |
57.5±2.5mm |
<001>±1° |
無し |
無し |
≦5um |
≦40um |
≦40um |
化学機械研磨 |
≧0.3um at ≦15pcs |
エッチド |
無し |
||
GDFZ-Si |
要見積もり |
GDFZ |
N or P |
<100> or <111> |
3~8 |
0.001~300 |
150±0.5mm |
675±15um |
57.5±2.5mm |
<001>±1° |
無し |
無し |
≦5um |
≦40um |
≦40um |
化学機械研磨 |
≧0.3um at ≦15pcs |
エッチド |
無し |