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XCSW製 化合物・半導体結晶 FZ法シリコンウェハ取扱企業
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商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 育成法 | 導電型 | 面方位 | φ直径 (インチ) | 抵抗値 (Ω・cm) | 直径 | 厚さ | プライマリーフラット長さ | プライマリーフラット方位 | セカンダリーフラット長さ | セカンダリーフラット方位 | TTV | Bow | Warp | 表面仕上げ | LPD | 裏面 | チッピング | |
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FZ-Si |
要見積もり | FZ | N or P | <100> or <111> | 3~8 | >1,000 | 150±0.5mm | 675±15um | 57.5±2.5mm | <001>±1° | 無し | 無し | ≦5um | ≦40um | ≦40um | 化学機械研磨 | ≧0.3um at ≦15pcs | エッチド | 無し | ||
NTDFZ-Si |
要見積もり | NTDFZ | N | <100> or <111> | 3~8 | 30~800 | 150±0.5mm | 675±15um | 57.5±2.5mm | <001>±1° | 無し | 無し | ≦5um | ≦40um | ≦40um | 化学機械研磨 | ≧0.3um at ≦15pcs | エッチド | 無し | ||
GDFZ-Si |
要見積もり | GDFZ | N or P | <100> or <111> | 3~8 | 0.001~300 | 150±0.5mm | 675±15um | 57.5±2.5mm | <001>±1° | 無し | 無し | ≦5um | ≦40um | ≦40um | 化学機械研磨 | ≧0.3um at ≦15pcs | エッチド | 無し |