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ブレのない回転を実現 小型・高速分光エリプソメータ (分光楕円偏光解析装置)取扱企業
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 測定方式 | 光源 | ビーム経 | 偏光素子 | 位相板 | 分光器 | 受光素子 | 波長領域 | 波長分解能 | 測定精度 | 入射角 | サンプルステージ | 測定対象サンプル | 解析ソフトウエアー | 分光解析ソフト | PC | 寸法 | |
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MASS-105ST |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 固定 | 固定 |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105SH |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 固定 | 手動θ-Y |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105SM |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 固定 | 自動θ-Y |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105FT |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 手動可変 | 固定 |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105FH |
要見積もり | 回転位相子法 | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 380~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 手動可変 | 手動θ-Y |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105FM |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 手動可変 | 自動θ-Y |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105MT |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 自動可変 | 固定 |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105MH |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 自動可変 | 手動θ-Y |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm | |
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MASS-105MM |
要見積もり | 回転位相子法 (RQ法) | 150WHaランプ | 約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ) | グラントムソンプリズム | 広帯域位相板 | マルチチャンネル型 | 2048分割CCDタイプ | 360~900nm | 1.5nm | Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時) | 自動可変 | 自動θ-Y |
・バルク材 ・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜 |
バルク材屈折率・吸収係数解析 単層膜、多層膜1変数解析 単層膜、多層膜2変数解析 バルク材成分比解析 単層膜・多層膜成分比解析 単層膜・多層膜分散式解析 |
“SCOUT” (オプション) | IBM-PCまたは互換機 | 300W×400D×450Hmm |
