ブレのない回転を実現小型・高速分光エリプソメータ (分光楕円偏光解析装置)

ブレのない回転を実現小型・高速分光エリプソメータ (分光楕円偏光解析装置) 品番9件

フィルター

品番	価格 (税抜)	測定方式回転位相子法 (RQ法) 回転位相子法	光源	ビーム経	偏光素子	位相板	分光器	受光素子	波長領域 360~900nm 380~900nm	波長分解能	測定精度	入射角固定手動可変自動可変	サンプルステージ固定手動θ-Y 自動θ-Y	測定対象サンプル	解析ソフトウエアー	分光解析ソフト	PC	寸法
MASS-105ST	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	固定	固定	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105SH	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	固定	手動θ-Y	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105SM	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	固定	自動θ-Y	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105FT	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	手動可変	固定	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105FH	要見積もり	回転位相子法	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	380~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	手動可変	手動θ-Y	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105FM	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	手動可変	自動θ-Y	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105MT	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	自動可変	固定	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105MH	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	自動可変	手動θ-Y	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm
MASS-105MM	要見積もり	回転位相子法 (RQ法)	150WHaランプ	約φ1~5mm (スポットレンズオプション使用の場合約350μ)	グラントムソンプリズム	広帯域位相板	マルチチャンネル型	2048分割CCDタイプ	360~900nm	1.5nm	Δ:±0.05度Ψ:±0.05度 (ただし、SiO2 (1,000Å) /Si基板測定時)	自動可変	自動θ-Y	・バルク材・Si基板のような吸収の有る基板上の単層膜、及び多層膜	バルク材屈折率・吸収係数解析単層膜、多層膜1変数解析単層膜、多層膜2変数解析バルク材成分比解析単層膜・多層膜成分比解析単層膜・多層膜分散式解析	“SCOUT” (オプション)	IBM-PCまたは互換機	300W×400D×450Hmm