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SiCウエハ (6インチ/8インチ) -JZLEAP Semiconductor
SiCウエハ (6インチ/8インチ) -武蔵野物産株式会社

SiCウエハ (6インチ/8インチ)
武蔵野物産株式会社

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■SiCウエハー

・8インチ N型4H-SiC (Production, Research, Dummy) ・6インチ N型4H-SiC (Production, Research, Dummy) ・6インチ 半絶縁型4H-SiC (Production, Research, Dummy)

■SiC MOSFET/Diode

・650V 10A JBS Diodes ・650V 4A JBS Diodes ・1200V 10A JBS Diodes ・1200V 80mOhm MOSFET ・1200V 10A MPS Diodes ・1200V 80mOhm MOSFET ・1200V 100A MPS Diodes ・1200V 80mOhm MOSFET ・1200V 40mOhm MOSFET ・1700V 1Ohm MOSFET ・1200V 10A MPS Diodes ・1200V 15mOhm MOSFET ・3300V 1Ohm MOSFET

■用途

電気自動車、充電パイル、太陽光発電インバーター、UPS、風力発電機など。耐熱、耐電圧、高周波数、ハイパワーなど従来のSi、Ge, GaAs、InPより性能が求められる光デバイス、パワーデバイス、マイクロ波デバイスなどに使用されます。

  • シリーズ

    SiCウエハ (6インチ/8インチ)

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使用用途

#半導体製造 #太陽電池 #MEMS製造 #センサ開発 #電子部品試作 #パワーデバイス #研究開発 #フォトニクス #車載機器開発 #医療機器開発

直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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