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サファイア基板 (半導体用)-株式会社オルベ・パイオニア

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材質

高品質合成サファイア (99.997%)

成長方法

キロプロス法

面方位

C-, A-, R-面

サイズ

丸型 φ10mm~150mm (C-面は125mmまで) 角型 10mm~130mm

厚み

0.15mm以上

平坦度

<5 μm (φ50.8mmの場合)

面粗度 (Ra)

0.5~1nm

厚み0.5mmでOFF角

0°±0.2° 2°±0.2

可能な生産能力

サファイア基板 (放熱板) 30x30x0.5t mm 10,000枚/月

この製品について


  • 型番

    サファイア基板 (半導体用)

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サファイア基板 (半導体用) サファイア基板 (半導体用)の性能表

商品画像 価格 (税抜) 材質 成長方法 面方位 サイズ 厚み 平坦度 面粗度 (Ra) 厚み0.5mmでOFF角 可能な生産能力
サファイア基板 (半導体用)-品番-サファイア基板 (半導体用) 要見積もり 高品質合成サファイア (99.997%) キロプロス法 C-, A-, R-面 丸型 φ10mm~150mm (C-面は125mmまで)
角型 10mm~130mm
0.15mm以上 <5 μm (φ50.8mmの場合) 0.5~1nm 0°±0.2°
2°±0.2
サファイア基板 (放熱板)
30x30x0.5t mm 10,000枚/月

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使用用途

#ウエハ製造 #フォトリソグラフィー #エッチング #薄膜形成 #ドーピング #CMP研磨 #半導体製造 #精密機器製造

物質種類

シリコン ゲルマニウム 化合物半導体

形状

ウエハ シングルクリスタル ポリクリスタル

ドーピング種

n型半導体 p型半導体

特殊特性

高耐圧半導体 高周波半導体

厚さ μm

150 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 1,200 1,200 - 1,400

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