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薄膜成長用酸化物基板 ランタンアルミネート-株式会社信光社

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外形公差±0.1mm 厚み公差±0.05mm:10×10×0.5 t

面方位 (公差:±0.5°)

(100) ※擬立方晶系表示

研磨

片面研磨

表面粗さ

Ra≦1.0 nm Rmax≦5.0 nm

平坦度 (λ=632.8 nm)

≦ λ

表面処理

STEP

オリフラ

(010)

この製品について

■弊社は1980年代から高温超電導薄膜やGaNなどの基板としてSrTiO3やサファイア基板を提供をはじめ、科学技術の向上に貢献し続けています。

エピタキシャル成長用基板は、結晶性、基板表面の平滑、平坦性とともに最表面の結晶格子歪の有無が重要です。弊社は長年の技術の蓄積により、結晶育成 (一部結晶は除く) から加工まで自社内で一貫生産しており、高精度な加工技術により、加工歪層のない高品質な結晶基板表面に仕上げております。 誘電体、超伝導、化合物半導体などのエピタキシャル成長に最適な酸化物結晶基板を提供しております。

■ランタンアルミネート

CZ法による結晶成長から、基板加工まで一貫生産を行っております。様々なエピタキシャル成長に最適なランタンアルミネート基板を皆様のご研究にお役立て下さい。

■物性

・組成 LaAlO3 ・結晶系 三方晶 (擬立方晶) ※LaAlO3は正確には三方晶 (a=0.5357 nm, α=60.1°) ですが、一般的には擬立方晶あるいは六方晶系として扱われます ・結晶構造 擬ペロブスカイト構造 ・格子定数 a=0.379 nm (擬立方晶系表示) ・融点 2,100 ℃ ・育成法 CZ法 ・密度 6.52 g/cm3 (20 ℃) ・誘電率 15~22 (300 K, 1MHz) ・熱膨張係数 12.6×10^-6/℃ ・相転移温度 420℃ (三方晶⇔立方晶) ・双晶 相転移に伴い発生

■オプション

・STEP基板 ・OFF基板 ・ブレイク溝付き基板

  • 型番

    LAーASー10S

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薄膜成長用酸化物基板 ランタンアルミネート LAーASー10Sの性能表

商品画像 価格 (税抜) サイズ 面方位 (公差:±0.5°) 研磨 表面粗さ 平坦度 (λ=632.8 nm) 表面処理 オリフラ
薄膜成長用酸化物基板 ランタンアルミネート-品番-LAーASー10S 要見積もり 外形公差±0.1mm 厚み公差±0.05mm:10×10×0.5 t (100) ※擬立方晶系表示 片面研磨 Ra≦1.0 nm
Rmax≦5.0 nm
≦ λ STEP (010)

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厚さ μm

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会社概要

株式会社信光社は1947年に設立された、各種酸化物単結晶製品の製造・販売をしている会社です。 サファイアやルチルなどの酸化物単結晶製品、光アイソレータやルチルプリズムなどの光通信デバイスの製造だけでなく、ファイバーレー...

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  • 本社所在地: 神奈川県

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