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薄膜成長用酸化物基板 サファイア-株式会社信光社

AO-CS-D10N | 薄膜成長用酸化物基板 サファイア
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この製品について

■弊社は1980年代から高温超電導薄膜やGaNなどの基板としてSrTiO3やサファイア基板を提供をはじめ、科学技術の向上に貢献し続けています。

エピタキシャル成長用基板は、結晶性、基板表面の平滑、平坦性とともに最表面の結晶格子歪の有無が重要です。弊社は長年の技術の蓄積により、結晶育成 (一部結晶は除く) から加工まで自社内で一貫生産しており、高精度な加工技術により、加工歪層のない高品質な結晶基板表面に仕上げております。 誘電体、超伝導、化合物半導体などのエピタキシャル成長に最適な酸化物結晶基板を提供しております。

■サファイア

弊社では、Ⅲ族窒化物半導体薄膜、超電導薄膜、誘電体薄膜などエピタキシャル成長に最適なサファイア基板を提供しております。当社オリジナルのTSMG法をもちいて結晶育成から加工まで社内で一貫生産しております。サファイアの結晶品質、基板表面の加工品質、洗浄・梱包レベルの高さにおきましては国内外で多くのお客様から高い評価をいただいております。

■物性

・組成 Al2O3 ・結晶系 三方晶系 (菱面体晶系) ・結晶構造 コランダム型構造 ・格子定数 (nm) a=0.47588, c=1.2992 (六方晶系表示※サファイアは正確には三方晶系 (a=0.513 nm, α=55.1 °) ですが、一般的には六方晶系として扱われています。) ・融点 (℃) 2,040 ・密度 (g/cm3) 3.987 ・育成方法 TSMG法 ・誘電率 (//c軸) 9.41 at 30 GHz ・誘電損失 (//c軸) 3×10^-5 at 30 GHz ・線膨張係数 (10^-6/℃) a軸 6.93, c軸 7.63 at 200 ℃ a軸 8.89 , c軸 9.97 at 1,000 ℃

■オプション

・STEP基板 ・OFF基板 ・ブレイク溝付き基板

  • 型番

    AO-CS-D10N

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薄膜成長用酸化物基板 サファイア AO-CS-D10Nの性能表

商品画像 価格 (税抜) サイズ (mm) (公差) 厚み (mm) (公差±0.05) 平坦度 (μm) 純度 (%) 研磨 梱包 表面処理
薄膜成長用酸化物基板 サファイア-品番-AO-CS-D10N 要見積もり 10×10 (±0.1) 0.5 <1 >99.99 片面 10枚 標準

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