SiCボンドウェーハ | 高機能基板
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型番説明

■概要車載用パワーデバイスに使用される高耐圧基板であるSiC (シリコンカーバイド) ウェーハをシリコン基板あるいはポリシリコンカーバイド基板に貼り合わせSiCを0.3~0.5μmの厚さにしたSiCボンドウェーハです。SiCウェーハよりも安価でSiCウェーハと同等のパフォーマンスのあるウェーハとなります。

材質

活性層：SiC
支持基板：SiまたはPoly-Sic

活性層：PZT
支持基板：Si

活性層：Si
支持基板：Pyrexガラス

厚さ

活性層：0.3~0.5μm
支持基板：525μm

活性層：~0.5μm
支持基板：525μm

活性層：1μm
支持基板：525μm

仕上

活性層：ポリッシュ
支持基板：エッチング

活性層：ポリッシュ
支持基板：ポリッシュ

全型番で同じ値の指標

適用ウェーハサイズ

100mm

ポリイミド

接着幕：1μm

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この製品について

■概要高機能基板として各種貼り合わせウェーハ製造基板およびGaN-SiCエピウェーハを供給します。パワーデバイス、高耐圧、圧電素子、次世代通信に向けた自動運転ヴィークル、ロボット、ドローン、電力などの制御デバイス用に開発した基板です。

型番
SiCボンドウェーハ

シリーズ
高機能基板

取扱企業
株式会社マイクロセミコンダクターリサーチ

カテゴリ

半導体製造

半導体材料

化学物質

ガリウム

化学物質

窒化ガリウム

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高機能基板 SiCボンドウェーハの性能表

商品画像	価格 (税抜)	適用ウェーハサイズ	材質	厚さ	仕上
	要見積もり	100mm	活性層：SiC 支持基板：SiまたはPoly-Sic	活性層：0.3~0.5μm 支持基板：525μm	活性層：ポリッシュ支持基板：エッチング

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