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導電型

P/ボロン

結晶方位

(100)

厚み

725±25μm

パーティクルサイズ

パーティクル≦30@0.2μm

研磨

SSP

この製品について

■概要

200mmシリコンウェーハは大手シリコンウェーハ工場の製造ラインに弊社スタンダード仕様のウェーハを組み込みプライムウェーハの提供をしております。

  • 型番

    MS501

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シリコンウェーハ 200mmプライムウェーハ MS501の性能表

商品画像 価格 (税抜) 導電型 結晶方位 抵抗率 厚み パーティクルサイズ 研磨
要見積もり P/ボロン (100) 1-50Ω・cm 725±25μm パーティクル≦30@0.2μm SSP

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直径 mm

5 - 100 100 - 150 150 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 600

厚さ um

0 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 400 400 - 500 500 - 600 600 - 700 700 - 800 800 - 1,200 1,200 - 2,000

抵抗率 Ω・cm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000

結晶方位 度

100 - 101 101 - 112 112 - 211

導電型

N/P N P

成長方法

CZ MCZ FZ NTDFZ GDFZ

パーティクルサイズ μm

0 - 1 1 - 10 10 - 100 100 - 110

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